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公开(公告)号：CN113423876B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201980091920.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种砷化镓单晶基板，具有圆形主面，其中，所述砷化镓单晶基板在将所述主面的直径表示为D、并且测定了通过将所述砷化镓单晶基板在500℃的熔融氢氧化钾中浸渍10分钟而形成在所述主面上的蚀坑的个数的情况下，以所述主面的中心为中心具有0.2D长度的直径的第一圆区域中的所述蚀坑的个数C1为0以上且10以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113235162A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110359932.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B11/00 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
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公开(公告)号：CN113215662A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110362301.9
申请日：2017-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
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公开(公告)号：CN110325672A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201780087442.6
申请日：2017-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42
Abstract: 在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm-2以上且10000个·cm-2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm-3。
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公开(公告)号：CN113235162B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110359932.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B11/00 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
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公开(公告)号：CN113423876A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201980091920.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种砷化镓单晶基板，具有圆形主面，其中，所述砷化镓单晶基板在将所述主面的直径表示为D、并且测定了通过将所述砷化镓单晶基板在500℃的熔融氢氧化钾中浸渍10分钟而形成在所述主面上的蚀坑的个数的情况下，以所述主面的中心为中心具有0.2D长度的直径的第一圆区域中的所述蚀坑的个数C1为0以上且10以下。
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