一种基于伪差分结构的高频忆阻电路

    公开(公告)号:CN117935880A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410116423.3

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 本发明涉及忆阻电路技术领域,尤其涉及一种基于伪差分结构的高频忆阻电路,通过简单的晶体管拓扑结构,采用伪差分放大器、一个处在线性区的P型场效应管、一个源跟随器,一个负阻抗转换器NIC和一个N型场效应管构成。本电路使用场效应管自身的寄生电容,无需外置电容电阻,在高频下也能够产生非线性忆阻特性:具体为当输入电压端Vin的输入信号Vin为正弦信号时,输入的整体电流Iin与输入信号Vin的关系曲线呈现出捏滞回线特征。且二者的关系曲线会随着输入信号Vin频率的提升而逐步收缩,最终收缩成一条单值函数曲线的趋势。

    一种用于蔡氏混沌集成电路的环形压控振荡器

    公开(公告)号:CN117938088A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410116462.3

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域,特别是一种用于蔡氏混沌集成电路的环形压控振荡器,包括压控反馈模块、具有a个起振级的压控起振模块和具有b个反馈级的反馈模块,且均不设有电感元件;压控反馈模块和压控起振模块的首尾相连成环路;压控起振模块每c个起振级和反馈模块的1个反馈级首尾相连成环路;a、b和c均为奇数,a≥c>b≥1,b=a‑c+1;压控反馈模块用于外接第一控制电压调节反馈频率信号的幅值;压控起振模块用于生成频率信号的同时受外接的第二控制电压调节频率信号的频率;反馈模块用于纠正压控起振模块的起振级电平及加速频率信号的生成;从而提高了振荡器的兼容性,并使集成电路的体积更小、成本更低。

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