-
公开(公告)号：CN107491131B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710962322.8
申请日：2017-10-16
Applicant: 佛山科学技术学院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种数模混合控制多环路LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。
-
公开(公告)号：CN107479612B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710959469.1
申请日：2017-10-16
Applicant: 佛山科学技术学院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种快速响应LDO电路，包括：偏置电路、快速反应电路、负载电路；所述偏置电路由：PMOS晶体管M1、M2、NMOS晶体管M3、M4、M5、运算放大器AMP构成，所述快速反应电路由：PMOS晶体管M6、M7、M9、M11、M12、MP、M14、NMOS晶体管M8、M10、M13、M15、电容C1构成，所述负载电路由电容CL、电阻RL构成，本发明跟现有技术对比具有快速瞬态响应的特点。
-
公开(公告)号：CN107677726B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710910237.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 佛山科学技术学院
IPC: G01N27/92
Abstract: 本发明公开了一种薄膜击穿现象的实时捕捉和分析方法，包括步骤：读取薄膜击穿现象原始图像数据；对所读取的图像数据进行形态学图像处理；对处理后的图像数据进行图像分割运算，将击穿点与图像背景分离；将所述击穿点在原始图像数据中进行标记，得到击穿点分布图；对所述击穿点分布图进行击穿点的数量统计和形态学分析。本发明实现了电介质或半导体薄膜的击穿现象的实时捕捉和统计分析，解决了传统方法需要相当数量的样品用于测试以确保统计数据的准确性，并且消耗大量人力物力，效率低下的问题，还解决了传统方法由于无法实现特定击穿现象的实时过程研究，使分析和评价薄膜击穿诱因及其形成机理变得极为困难的问题。
-
公开(公告)号：CN106406408B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201611016776.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 佛山科学技术学院
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种LDO电路，其特征在于包括参考时钟、缓冲整形单元、鉴频器（FD）、数字控制器（DPC）、功率管阵列、滤波器（LPF）和压控振荡器（VCO），功率管阵列包括并接而成的数个功率管，功率管阵列的输出与滤波器（LPF）相连，滤波器（LPF）与压控振荡器（VCO）相连，压控振荡器（VCO）与鉴频器（FD）其中一输入端相连，参考时钟与缓冲整形单元相连，缓冲整形单元与鉴频器（FD）另一输入端相连，鉴频器（FD）的输出控制与功率管阵列的各个功率管的控制输入相连。本发明与已有技术相比，具有即使是低电压，甚至是超低电压下，也能正常工作的优点。
-
公开(公告)号：CN106638350A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710007563.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 佛山科学技术学院
CPC classification number: H02N2/18
Abstract: 本发明公开一种压电式道路减速带装置，其包括橡胶外壳、位于橡胶外壳中的充电单元以及充电电路，所述充电单元从上至下依次包括钢板、第一绝缘垫、压电单元和第二绝缘垫，所述压电单元连接于所述充电电路，所述充电单元设置有多层，每层设置有至少一压电单元，当汽车通过减速带时，压电单元变形产生电压，并通过充电电路进行充电。本发明通过压电单元将机械能转化为电能，其具有结构简单，成本低廉，无需更换电池等优点，且具有环保优点，对环境友好，且本发明能量转换效率高，易集成，可大规模推广应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108227815B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201810223884.5
申请日：2018-03-19
Applicant: 佛山科学技术学院
IPC: G05F1/575
Abstract: 本发明公开了应用于低电压输出的自适应动态偏置LDO电路，包括：控制电路，参考电压产生电路，反馈电路，负载电路，功率管M12，所述控制电路包括：PMOS管M1、M2、M3、M4、M12，NMOS管M5、M6、M7、M8、M9，电容C1、C2，所述参考电压产生电路包括：NMOS管M10、M11，运算放大器EA，基准电压电路bandgap，所述反馈电路包括：NMOS管M13、M14，所述负载电路包括：负载电容CL，负载电阻RL。本发明创造的电路结构以控制电路为核心，相对于现有的LDO电路，具有良好的负载瞬态响应能力，对电压输出适应能力强。该电路结构可广泛应用于SoC芯片。
-
公开(公告)号：CN107643104A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201711034271.9
申请日：2017-10-30
Applicant: 佛山科学技术学院
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明公开了一种具有高低温及气氛环境控制的多功能测试装置,包括用于提供测试环境的多功能腔体、用于调节多功能腔体内温度及气氛的测试环境控制单元和用于监控测试的监测单元；测试环境控制单元和监测单元均与多功能腔体连接；其中，测试环境控制单元包括温控装置和气氛环境控制装置，监测单元包括电学性能测试装置和光学监控装置。本发明集温度及气氛环境控制、样品监控测试于一体，实现多种测试环境下的测试需求。
-
公开(公告)号：CN107491131A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710962322.8
申请日：2017-10-16
Applicant: 佛山科学技术学院
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/561
Abstract: 本发明公开了一种数模混合控制多环路LDO电路，包括：功率管MP、pMOS管M1、M3、M5、nMOS管M2、M4、M6、M7、M8、运算放大器AMP、非门INV1、INV2、INV3、INV4、INV5、INV6、与门AND1、AND2。本发明创造的LDO电路利用三个控制环路来应对负载电压的变化，提供负载瞬态响应能力，通过仿真，本发明创造的LDO电路与现有LDO电路对比提高了10％的负载瞬态响应能力。本发明创造的LDO电路结构可广泛应用于SoC芯片。
-
公开(公告)号：CN106547300A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201710016488.0
申请日：2017-01-10
Applicant: 佛山科学技术学院
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F1/567
Abstract: 一种低功耗低温度系数的电压基准源电路，其特征在于包括PTAT电流产生电路和负载电路；PTAT电流产生电路与负载电路一端相连，基准电压源由所述负载电路输出，所述PTAT电流产生电路由PM0、PM1、PM2、PM3、NM0、NM1、NM2、NM5和NM6组成，PM0、PM1、PM2、PM3为PMOS管，NM0、NM1、NM2、NM5和NM6为NMOS管。本发明与已有技术相比，具有即使是低电压，甚至是超低电压下，也能正常工作的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
59
records
(took 0.026 seconds)
