公开(公告)号：CN1821442A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510116655.6

申请日：2003-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石川贵之 ,  榊原悌互 ,  三浦大祐 ,  宇野英满 ,  小野升

IPC: C23C18/00 ,  H01L51/00 ,  C07D487/22 ,  C07F1/08 ,  C07F3/02 ,  C07F3/06 ,  C07F5/06

Abstract: 一种有机半导体膜的图案形成方法，其特征为，利用印刷将至少含有二环化合物的溶液赋予到基材上所希望的位置，使二环骨架中的一部分从所述二环化合物上脱离，扩张π共轭系统，将所述二环化合物转变成有机半导体材料，由此在该基材上所选择的位置处发生逆狄尔斯－阿德尔反应，从而在基材上所希望的位置形成有机半导体膜。

公开(公告)号：CN100543180C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200510116655.6

申请日：2003-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石川贵之 ,  榊原悌互 ,  三浦大祐 ,  宇野英满 ,  小野升

IPC: C23C18/00 ,  H01L51/00 ,  C07D487/22 ,  C07F1/08 ,  C07F3/02 ,  C07F3/06 ,  C07F5/06

Abstract: 一种有机半导体膜的图案形成方法，其特征为，利用印刷将至少含有二环化合物的溶液赋予到基材上所希望的位置，使二环骨架中的一部分从所述二环化合物上脱离，扩张π共轭系统，将所述二环化合物转变成有机半导体材料，由此在该基材上所选择的位置处发生逆狄尔斯-阿德尔反应，从而在基材上所希望的位置形成有机半导体膜。

公开(公告)号：CN100344631C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN03119235.1

申请日：2003-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石川贵之 ,  榊原悌互 ,  三浦大祐 ,  宇野英满 ,  小野升

IPC: C07D487/22 ,  C09D11/00 ,  B41J2/175 ,  G01N33/32

CPC classification number: C07D487/22 ,  C09B47/00 ,  C09B47/04 ,  C09D11/30 ,  C09D11/328 ,  C09D11/38 ,  C09D11/54 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078

Abstract: 本发明涉及一种能控制其相对于溶剂溶解性的新化合物。该化合物对规定溶剂具有亲溶剂基团，可溶于该溶剂，能通过逆狄尔斯-阿德尔反应使该亲溶剂基团脱离，从而不可逆地降低该化合物相对于该溶剂的溶解度。

公开(公告)号：CN1443765A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03119235.1

申请日：2003-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石川贵之 ,  榊原悌互 ,  三浦大祐 ,  宇野英满 ,  小野升

IPC: C07D487/22 ,  C09D11/00 ,  B41J2/175 ,  C12Q1/68 ,  G01N33/32

CPC classification number: C07D487/22 ,  C09B47/00 ,  C09B47/04 ,  C09D11/30 ,  C09D11/328 ,  C09D11/38 ,  C09D11/54 ,  H01L51/0007 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078

Abstract: 本发明涉及一种能控制其相对于溶剂溶解性的新化合物。该化合物对规定溶剂具有亲溶剂基团，可溶于该溶剂，能通过逆狄尔斯－阿德尔反应使该亲溶剂基团脱离，从而不可逆地降低该化合物相对于该溶剂的溶解度。