公开(公告)号：CN102104052B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201010580456.1

申请日：2010-12-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 工藤正稔 ,  林良之 ,  齐藤和宏 ,  加藤太朗 ,  福元嘉彦

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及光电转换器件。一种光电转换器件包括：多个光电转换区域；被布置在多个光电转换区域上的层间绝缘膜；被布置为与层间绝缘膜接触并具有与层间绝缘膜的折射率不同的折射率的保护绝缘膜；被布置在多个光电转换区域中的每一个的受光表面中的凹陷；以及被埋入在凹陷中的埋入区域。当对于多个光电转换区域中的每一个的入射光的波长由λ表示并且埋入区域的折射率由n表示时，凹陷的深度d由表达式d≥λ/4n表示。

公开(公告)号：CN102104052A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010580456.1

申请日：2010-12-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 工藤正稔 ,  林良之 ,  齐藤和宏 ,  加藤太朗 ,  福元嘉彦

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及光电转换器件。一种光电转换器件包括：多个光电转换区域；被布置在多个光电转换区域上的层间绝缘膜；被布置为与层间绝缘膜接触并具有与层间绝缘膜的折射率不同的折射率的保护绝缘膜；被布置在多个光电转换区域中的每一个的受光表面中的凹陷；以及被埋入在凹陷中的埋入区域。当对于多个光电转换区域中的每一个的入射光的波长由λ表示并且埋入区域的折射率由n表示时，凹陷的深度d由表达式d≥λ/4n表示。