-
公开(公告)号：CN101161459A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710182210.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 早川和宏
CPC classification number: B41J2/1404 , B41J2/1601 , B41J2/1628 , B41J2/1634 , B41J2/1639 , B41J2/1643 , B41J2002/1437
Abstract: 本发明提供具有满足所期望的目的的流路形状的喷墨打印头、以及制造喷墨打印头的方法。在用于制造喷墨打印头的方法中，制备SOI基板，该SOI基板具有第一硅层、第二硅层、以及绝缘层。在第一单晶硅层上形成牺牲层。在牺牲层的上方形成蚀刻停止层。在SOI基板的表面上形成能量生成元件。对第二硅层和绝缘层执行蚀刻以形成墨供给口。通过蚀刻形成该供给口。蚀刻第一硅层以形成液体流路。除去蚀刻停止层的一部分以形成喷射口。
-
公开(公告)号：CN1693080A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510069706.4
申请日：2005-05-08
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供一种喷墨记录头用基体的制造方法和记录头的制造方法，用来形成更均匀的发热电阻层。该喷墨记录头用基体具有：表面上有绝缘层的支撑体、配置在该支撑体的上述表面上的一对电极层、以及连续地覆盖该一对电极层和它们之间的发热电阻层，其制造方法包括：在上述支撑体上形成电极层的工序；以及通过刻蚀上述电极层，形成上述一对电极层的工序，在形成上述一对电极层的工序中，对位于上述绝缘层的上述一对电极层之间的表面部分进行刻蚀，在上述绝缘层的该部分上形成凹部。
-
公开(公告)号：CN101920598A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010194749.6
申请日：2010-06-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 早川和宏
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B41J2/1646
Abstract: 一种用于制造液体排出头的方法，包括：将含有金属氮化物的第一层设置于硅基板的一个面的与供给口对应的至少一部分；将第二层设置于第一层上，第二层由铝、铜和金中的任何一种及其的合金构成；通过反应离子蚀刻沿从相反面朝向该一个面的方向蚀刻硅基板的与供给口对应的部分，使得蚀刻区域到达第一层；以及去除第一层的与供给口对应的部分，然后去除第二层的与供给口对应的部分，由此形成供给口。
-
公开(公告)号：CN101161459B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710182210.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 早川和宏
CPC classification number: B41J2/1404 , B41J2/1601 , B41J2/1628 , B41J2/1634 , B41J2/1639 , B41J2/1643 , B41J2002/1437
Abstract: 本发明提供具有满足所期望的目的的流路形状的喷墨打印头、以及制造喷墨打印头的方法。在用于制造喷墨打印头的方法中，制备SOI基板，该SOI基板具有第一硅层、第二硅层、以及绝缘层。在第一单晶硅层上形成牺牲层。在牺牲层的上方形成蚀刻停止层。在SOI基板的表面上形成能量生成元件。对第二硅层和绝缘层执行蚀刻以形成墨供给口。通过蚀刻形成该供给口。蚀刻第一硅层以形成液体流路。除去蚀刻停止层的一部分以形成喷射口。
-
公开(公告)号：CN100581824C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200410033091.5
申请日：2004-02-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1603 , B41J2/14145 , B41J2/1629
Abstract: 本发明的基板的加工方法，包括：在基板上形成保护膜的工序，腐蚀上述保护膜的表面的工序，在上述已蚀刻的保护膜上形成耐腐蚀膜的工序，由上述保护膜和上述耐腐蚀膜形成开口图形的工序，通过上述开口图形腐蚀上述基板由此在上述基板形成开口部的工序，去除当形成上述开口部时产生的向上述开口部内突起的上述保护膜的端部的工序，以及去除上述耐腐蚀膜的工序的工序，由此就能够在形成开口部的基板表面上形成高精度的保护膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101920598B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010194749.6
申请日：2010-06-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 早川和宏
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1635 , B41J2/1639 , B41J2/1646
Abstract: 一种用于制造液体排出头的方法，包括：将含有金属氮化物的第一层设置于硅基板的一个面的与供给口对应的至少一部分；将第二层设置于第一层上，第二层由铝、铜和金中的任何一种及其的合金构成；通过反应离子蚀刻沿从相反面朝向该一个面的方向蚀刻硅基板的与供给口对应的部分，使得蚀刻区域到达第一层；以及去除第一层的与供给口对应的部分，然后去除第二层的与供给口对应的部分，由此形成供给口。
-
公开(公告)号：CN100588547C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200510069706.4
申请日：2005-05-08
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供一种喷墨记录头用基体的制造方法和记录头的制造方法，用来形成更均匀的发热电阻层。该喷墨记录头周基体具有：表面上有绝缘层的支撑体、配置在该支撑体的上述表面上的一对电极层、以及连续地覆盖该一对电极层和它们之间的发热电阻层，其制造方法包括：在上述支撑体上形成电极层的工序；以及通过刻蚀上述电极层，形成上述一对电极层的工序，在形成上述一对电极层的工序中，对位于上述绝缘层的上述一对电极层之间的表面部分进行刻蚀，在上述绝缘层的该部分上形成凹部。
-
公开(公告)号：CN1326702C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410081989.X
申请日：2004-12-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/1603 , B41J2/14145 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1643 , B41J2/1646 , Y10T428/24331 , Y10T428/24479 , Y10T428/24562 , Y10T428/2457 , Y10T428/24612
Abstract: 一种梁，该梁具有一个由单晶硅制成的基底材料和至少一个凸起，凸起被一体制成，凸起的至少一端受到支撑，凸起包括两个具有定向平面(111)的表面，该梁包括：一个底面，该底面位于一个与基底材料共面的平面内；一个沟槽，该沟槽从底面贯穿到凸起的顶部；和一个保护部件，该保护部件对各向异性晶体蚀刻液体具有耐受性并覆盖着沟槽的一个内壁。
-
公开(公告)号：CN101927604B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010205941.0
申请日：2010-06-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629
Abstract: 本发明公开了一种制造液体排出头的方法，包括：设置在第一表面上具有绝缘层并在作为第一表面的背面的第二表面上具有带有多个开口的蚀刻掩模层的硅基板，其中，绝缘层被设置在从与开口相对的位置到与掩模层的相邻的开口之间的部分相对的位置的区域中；和通过蚀刻硅基板的硅部分以使得蚀刻的区域到达绝缘层的与开口相对的部分，形成孔，其中，设置在相邻的孔之间的硅壁被蚀刻，使得其第一表面侧的部分可比其第二表面侧的部分薄。
-
公开(公告)号：CN101927604A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010205941.0
申请日：2010-06-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/16
CPC classification number: B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629
Abstract: 本发明公开了一种制造液体排出头的方法，包括：设置在第一表面上具有绝缘层并在作为第一表面的背面的第二表面上具有带有多个开口的蚀刻掩模层的硅基板，其中，绝缘层被设置在从与开口相对的位置到与掩模层的相邻的开口之间的部分相对的位置的区域中；和通过蚀刻硅基板的硅部分以使得蚀刻的区域到达绝缘层的与开口相对的部分，形成孔，其中，设置在相邻的孔之间的硅壁被蚀刻，使得其第一表面侧的部分可比其第二表面侧的部分薄。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.023 seconds)
