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公开(公告)号：CN102983281A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210318623.4
申请日：2012-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3211 , H01L51/5209 , H01L51/5225
Abstract: 本发明公开了有机发光装置及其制造方法。在通过光刻法构图的多个有机化合物层的端部之中，不位于发光元件之间的区域中并且位于被第二电极覆盖的区域中的端部形成为与位于发光元件之间的端部相比具有更小的倾角。
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公开(公告)号：CN1832221A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610009206.6
申请日：2006-02-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/12 , C23C14/541 , H01L51/5012 , H01L51/5048
Abstract: 本发明提供了一种制造电子元件的方法，可以改善元件的耐久性而不会降低元件的最初性能。本发明的制造电子元件的方法包括：在第1电极上形成第1有机层的第1有机层形成步骤；和在第1有机层上形成第2有机层的第2有机层形成步骤，其中该方法还包括在第1有机层形成步骤之前加热第1电极的加热步骤，并且，该第1有机层形成步骤至少包括在该加热的第1电极上进行蒸镀以形成第1有机层的蒸镀步骤以及冷却该第1有机层的冷却步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102983281B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210318623.4
申请日：2012-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L27/3211 , H01L51/5209 , H01L51/5225
Abstract: 本发明公开了有机发光装置及其制造方法。在通过光刻法构图的多个有机化合物层的端部之中，不位于发光元件之间的区域中并且位于被第二电极覆盖的区域中的端部形成为与位于发光元件之间的端部相比具有更小的倾角。
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公开(公告)号：CN102077386A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124399.1
申请日：2009-06-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L51/5278
Abstract: 在发光显示装置中，对于具有低的颜色纯度和低的发射效率的发射颜色实现优异的颜色再现性和高的亮度。要提高其颜色纯度和发射效率的电致发光层(3)作为第一层被层叠于基板(1)上并且被插入反射电极层(2)和半反射电极(4)之间，然后，从电致发光层(3)提取的光通过反射电极层(2)中的反射表面与半反射电极(4)中的反射表面之间的干涉被强化。
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公开(公告)号：CN102740524A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210082678.X
申请日：2012-03-27
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/0016 , H01L27/3211 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造有机发光器件的方法。为了解决这样的问题：在使用通过溶解剥离层而剥离形成在剥离层上的层的步骤来制造有机发光器件的方法中，剥离的膜片在用于溶解剥离层的去除液中不溶解，因此可漂在去除液中，并且可在构图之后粘附到基板的表面，以导致有缺陷的构图，提供了一种制造有机发光器件的方法，该方法包括在多个发光部分上方连续地形成剥离层，以使剥离的膜片的尺寸大。这可降低剥离的膜片粘附到基板表面的可能性，并且即使当剥离的膜片一度粘附到基板的表面时，也可使得后来去除剥离的膜片便利，从而抑制有缺陷的构图。
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公开(公告)号：CN102077386B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200980124399.1
申请日：2009-06-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L51/5278
Abstract: 在发光显示装置中，对于具有低的颜色纯度和低的发射效率的发射颜色实现优异的颜色再现性和高的亮度。要提高其颜色纯度和发射效率的电致发光层(3)作为第一层被层叠于基板(1)上并且被插入反射电极层(2)和半反射电极(4)之间，然后，从电致发光层(3)提取的光通过反射电极层(2)中的反射表面与半反射电极(4)中的反射表面之间的干涉被强化。
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公开(公告)号：CN100521280C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610009206.6
申请日：2006-02-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L51/56 , C23C14/12 , C23C14/541 , H01L51/5012 , H01L51/5048
Abstract: 本发明提供了一种制造电子元件的方法，可以改善元件的耐久性而不会降低元件的最初性能。本发明的制造电子元件的方法包括：在第1电极上形成第1有机层的第1有机层形成步骤；和在第1有机层上形成第2有机层的第2有机层形成步骤，其中该方法还包括在第1有机层形成步骤之前加热第1电极的加热步骤，并且，该第1有机层形成步骤至少包括在该加热的第1电极上进行蒸镀以形成第1有机层的蒸镀步骤以及冷却该第1有机层的冷却步骤。
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