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公开(公告)号：CN102110701B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010597252.9
申请日：2010-12-21
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14643
Abstract: 本发明涉及固态成像装置和成像系统。根据本发明的固态成像装置的特征在于，向复位MOS晶体管的栅极施加的复位栅极电压VresH比与放大MOS晶体管和复位MOS晶体管的漏极连接的电源的电源电压SVDD低。
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公开(公告)号：CN100518254C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610005121.0
申请日：2006-01-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/225 , H01L27/146
CPC classification number: H04N3/155 , H01L27/14603 , H04N5/235 , H04N5/2355 , H04N5/35572 , H04N5/3559 , H04N5/3591 , H04N5/378
Abstract: 提供一种图像拾取装置，其中提供了在光电产生和蓄积载流子的期间从光电转换单元溢出的载流子的一部分可流入浮动扩散区，和根据蓄积在光电转换单元中的载流子和溢出到浮动扩散区中的载流子产生像素信号的像素信号产生单元。通过高精度地控制流入浮动扩散区的载流子与从这种光电转换单元溢出的载流子的比，可实现扩展动态范围并提高图像质量。
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公开(公告)号：CN104124255B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410169731.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/232 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H04N5/23212 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了一种成像装置和成像系统。根据本发明的一个实施例是包含像素的成像装置。像素包含第一光电转换单元、第二光电转换单元、浮置扩散部分、第一传送晶体管和第二传送晶体管。第一传送晶体管和第二传送晶体管被配置为向浮置扩散部分传送分别在第一光电转换单元和第二光电转换单元处产生的电载流子。成像装置包括与第一传送晶体管的栅电极电连接的第一导电部件、与第二传送晶体管的栅电极电连接的第二导电部件以及控制单元。第一导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离比第二导电部件与浮置扩散部分之间的最接近距离长。
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公开(公告)号：CN101360194A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810145020.2
申请日：2008-08-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/3765 , H04N5/374
Abstract: 本发明公开一种图像感测设备，所述图像感测设备包括像素和驱动单元，其中所述驱动单元包括缓冲电路，所述缓冲电路包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，令V3是被提供给第一NMOS晶体管的栅极以将用于关断传送MOS晶体管的传送信号提供给传送控制线的电压，令V4是被提供给第一PMOS晶体管的栅极以将用于导通传送MOS晶体管的传送信号提供给传送控制线的电压，令Vthp1是第一PMOS晶体管的阈值电压，Vthn1是第一NMOS晶体管的阈值电压，则满足(V2+Vthn1)＜V3＜V1以及V2＜V4＜(V1+Vthp1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113329165B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202010130040.3
申请日：2020-02-28
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本公开涉及成像显示设备、可穿戴设备以及成像显示系统。成像单元包括多个光电转换元件、处理单元和显示单元。处理单元处理从成像单元发送的信号。显示单元显示基于从处理单元发送的信号的图像。成像单元在第一时间获取第一图像信息。处理单元基于第一图像信息生成晚于第一时间的第二时间的第一预测图像信息。而且，显示单元显示基于第一预测图像信息的图像。
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公开(公告)号：CN104054177B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380005498.4
申请日：2013-01-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14806 , H01L31/103
Abstract: 图像传感器包括：布置于基板中的第一导电类型的第一半导体区域、布置于第一半导体区域中以形成电荷积累区域的第二导电类型的第二半导体区域。第二半导体区域包括在沿基板表面的方向上布置的多个部分。在所述多个部分之间形成势垒。通过耗尽区域从第一半导体区域向第二半导体区域的扩展，第二半导体区域被完全耗尽。第二半导体区域的要被最终耗尽的最终耗尽部分通过耗尽区域从第一半导体区域的位于最终耗尽部分的横向上的部分的扩展被耗尽。
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公开(公告)号：CN104054177A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201380005498.4
申请日：2013-01-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14806 , H01L31/103
Abstract: 图像传感器包括：布置于基板中的第一导电类型的第一半导体区域、布置于第一半导体区域中以形成电荷积累区域的第二导电类型的第二半导体区域。第二半导体区域包括在沿基板表面的方向上布置的多个部分。在所述多个部分之间形成势垒。通过耗尽区域从第一半导体区域向第二半导体区域的扩展，第二半导体区域被完全耗尽。第二半导体区域的要被最终耗尽的最终耗尽部分通过耗尽区域从第一半导体区域的位于最终耗尽部分的横向上的部分的扩展被耗尽。
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公开(公告)号：CN102680811A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210060872.8
申请日：2012-03-09
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N17/002 , H01L27/00 , H01L27/0605 , H01L27/1203 , H01L27/14632 , H01L27/14806 , H01L27/14887 , H01L29/1029 , H01L2924/01079 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及一种测试信号接收单元的测试电路、图像拾取装置、以及测试方法。作为实施例，公开了一种测试电路，该测试电路包括：被配置为通过信号线向设置在多个列中的信号接收单元供给测试信号的测试信号供给单元，其中，测试信号供给单元是电压缓冲器或电流缓冲器，并且，测试电路具有多个测试信号供给单元和多个信号线，并且，其中，至少一个测试信号供给单元与不同于电连接另外的测试信号供给单元的信号线的一个信号线电连接。
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公开(公告)号：CN102387318A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110251765.9
申请日：2011-08-30
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 沖田彰
CPC classification number: H04N5/37457 , H04N5/357 , H04N5/3598 , H04N5/376
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置和图像拾取系统、图像拾取系统、驱动固态图像拾取装置的方法和驱动固态图像拾取装置的方法。在第一重置时间段中，在第一光电转换元件中的电子被传输到共用的浮置节点之前，通过重置电压序列重置转换元件所共享的浮置节点上的电子。在第二重置时间段中，在第一光电转换元件中的电子被传输到浮置节点之后、第二光电转换元件中的电子被传输到浮置节点之前，通过第一重置电压重置浮置节点上的电子。第一重置时间段和第二重置时间段长度不同。第一重置时间段包括通过多个重置电压中的最高重置电压执行重置的子时间段，第二重置时间段包括通过第一重置电压执行重置的子时间段，其中，这两个子时间段的长度基本上相等。
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