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公开(公告)号：CN100377276C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN99810682.8
申请日：1999-09-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027
Abstract: 本发明提供一种易于小型化并容易操作的电子源制造装置。该电子源制造装置包括支撑具有导体(11)的基片(10)的支撑件、具有入口(15)和气体排出口(16)并覆盖基片(10)的表面的部分区域的容器(12)、连接到气体入口(15)以将气体输入到容器的进气装置(24)、连接到排气口以将容器的内部抽空的排气装置(26)以及给该导体施加电压的装置(32)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1135652A
公开(公告)日：1996-11-13
申请号：CN96101340.0
申请日：1996-01-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 织田仁
CPC classification number: H01J1/316 , G09G3/2011 , G09G3/2014 , G09G3/22 , G09G5/393 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2340/125 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子束设备包括电子发射装置，与电子发射装置相距H的阳极，给装置加电压Vf(V)，和给阳极加电压Va(V)的装置。电子发射装置具有分布在与低电位端电极相连的低电位端导电薄膜和与高电位端电极相连的高电位端导电薄膜之间的电子发射区。该装置还具有含有半导体物质、厚度不超过10nm的薄膜。含半导体的薄膜在高电位端导电薄膜上从电子发射区向高电位端电极延伸一段长度L(m)。上面的Vf，Va，H和L满足关系：L≥(1/π)·(Vf/Va)·H。
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公开(公告)号：CN1108622C
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN96101340.0
申请日：1996-01-31
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 织田仁
CPC classification number: H01J1/316 , G09G3/2011 , G09G3/2014 , G09G3/22 , G09G5/393 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2340/125 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子束设备包括电子发射装置，与电子发射装置相距H(w)的阳极，给装置加电压Vf(V)，和给阳极加电压Va(V)的装置。电子发射装置具有分布在与低电位端电极相连的低电位端导电薄膜和与高电位端电极相连的高电位端导电薄膜之间的电子发射区。该装置还具有含有半导体物质、厚度不超过10nm的薄膜。含半导体的薄膜在高电位端导电薄膜上从电子发射区向高电位端电极延伸一段长度L(m)。上面的Vf，Va，H和L满足关系：L≥(1/π)·(Vf/Va)·H。
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公开(公告)号：CN1317145A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN99810682.8
申请日：1999-09-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027
Abstract: 本发明提供一种易于小型化并容易操作的电子源制造装置。该电子源制造装置包括支撑具有导体(11)的基片(10)的支撑件、具有入口(15)和气体排出口(16)并覆盖基片(10)的表面的部分区域的容器(12)、连接到气体入口(15)以将气体输入到容器的进气装置(24)、连接到排气口以将容器的内部抽空的排气装置(26)以及给该导体施加电压的装置(32)。
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公开(公告)号：CN1161814C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN98120619.0
申请日：1998-09-16
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027
Abstract: 本发明提供了一种电子源与图象形成装置的制造方法，以及电子源制造装置，所述电子源具有电子发射单元。其中，所述电子源的制造方法包括以下步骤：在至少包括电子发射单元发射电子的区域的区域中淀积碳或碳化合物或它们的组合，其中，所述淀积步骤是在包含碳或碳化合物或它们的组合的至少一种源材料的气体气氛中进行的，该气体气氛具有从100Pa到2个大气压范围内的压力。所述图象形成装置的制造方法包括将图象形成单元和所述电子源组装成一体。
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