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公开(公告)号:CN105323509B
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201510462803.3
申请日:2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/341 , H04N5/357 , H04N5/225 , H01L27/146
Abstract: 本申请涉及光电转换装置和光电转换系统。提供一种光电转换装置,该光电转换装置包括:多个光电转换单元,其中每个光电转换单元都包含第一电极、第二电极、蓄积信号电荷并且被设置在第一电极与第二电极之间的光电转换层和设置在光电转换层与第二电极之间的绝缘层;放大单元,被配置为接收光学信号并且输出分别基于所述光学信号中的一个的信号,所述光学信号中的每一个基于所述信号电荷中的一个,所述信号电荷中的每一个蓄积于所述多个光电转换单元中的一个中;和电容元件,具有第一节点和第二节点,第一节点与多个光电转换单元的第二电极和放大单元连接,并且第二节点选择性接收具有不同值的多个电势中的每一个。
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公开(公告)号:CN105323509A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510462803.3
申请日:2015-07-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/341 , H04N5/357 , H04N5/225 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3742 , H01L27/14609 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14647 , H01L27/14667 , H01L31/035218 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/378 , H04N9/045
Abstract: 本申请涉及光电转换装置和光电转换系统。提供一种光电转换装置,该光电转换装置包括:多个光电转换单元,其中每个光电转换单元都包含第一电极、第二电极、蓄积信号电荷并且被设置在第一电极与第二电极之间的光电转换层和设置在光电转换层与第二电极之间的绝缘层;放大单元,被配置为接收光学信号并且输出分别基于所述光学信号中的一个的信号,所述光学信号中的每一个基于所述信号电荷中的一个,所述信号电荷中的每一个蓄积于所述多个光电转换单元中的一个中;和电容元件,具有第一节点和第二节点,第一节点与多个光电转换单元的第二电极和放大单元连接,并且第二节点选择性接收具有不同值的多个电势中的每一个。
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公开(公告)号:CN105280658A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510393625.3
申请日:2015-07-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0232 , H01L27/14609 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及光电转换装置和成像系统。根据示例性实施例的光电转换装置包括:包括光电转换单元的像素、输出来自光电转换单元的信号的放大器晶体管以及向放大器晶体管供应复位电压的复位晶体管。光电转换单元包括第一电极、与放大器晶体管电连接的第二电极、光电转换层以及被设置在光电转换层和第二电极之间的绝缘层。像素包括与第二电极电连接的第一电容器。第一电容器的电容值、在第一电极和第二电极之间的第二电容器的电容值以及向像素供应的电压满足某种关系。
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公开(公告)号:CN101123671B
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN200710138481.2
申请日:2007-08-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/3598
Abstract: 每个像素都具有:光电转换单元,配置为将光转换为电荷并存储该电荷;放大单元,配置为放大基于存储在光电转换单元中的电荷的信号并向输出线输出该信号;以及复位单元,配置为将放大单元的输入部分复位。配置为限制输出线的电压的限幅单元包括:放大电路,用于放大基于输出线的电压的信号;和MOS晶体管,用于基于栅极和源极之间的电位差限制输出线的电压。所述限幅单元通过放大电路控制MOS晶体管的栅极的电位。
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公开(公告)号:CN101420509B
公开(公告)日:2011-07-20
申请号:CN200810175008.6
申请日:2008-10-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/23248 , H04N5/23274 , H04N5/345 , H04N5/361 , H04N5/3658 , H04N5/376 , H04N5/3765
Abstract: 本发明涉及一种图像感测设备、成像系统、以及图像感测设备驱动方法。图像感测设备包括像素阵列(该像素阵列包括光学黑色区域和有效像素区域),以及对像素阵列进行扫描的扫描单元。扫描单元包括通过移位操作对所述光学黑色区域进行扫描的第一移位寄存器和通过移位操作对有效像素区域进行扫描的第二移位寄存器。所述第二移位寄存器在当所述第一移位寄存器对所述光学黑色区域进行扫描时的第一时间段期间开始所述移位操作,并在所述第一时间段之后的第二时间段期间对充当所述有效像素区域的部分区域的读出区域进行扫描。
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公开(公告)号:CN101257563B
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN200810082264.0
申请日:2008-02-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N3/15
CPC classification number: H04N5/37457 , H04N5/3741
Abstract: 本发明提供一种成像设备和成像系统。成像设备包括像素单元阵列和驱动单元。各像素单元包括多个光电转换单元、所述多个光电转换单元所共用的电荷-电压转换器、把由所述多个光电转换单元生成的电荷传输给电荷-电压转换器的多个传输单元、把基于电荷的信号输出到信号线的输出单元、以及设置电荷-电压转换器的电位的设置单元。各像素单元根据电荷-电压转换器中设置的电位被选择或不被选择。驱动单元驱动像素单元阵列,以便输出单元连续地将基于由被选择的像素单元中的多个光电转换单元生成的电荷的信号输出到信号线,而不执行使所述被选择的像素单元成为未选择状态的操作。
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公开(公告)号:CN100578279C
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200710127903.6
申请日:2007-06-29
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 通过提高AF速度实现低成本和高速度的AF传感器,而不必提供专用于大的散焦AF的传感器。该AF传感器具有两个传感器,每一个包括多个光电转换元件,该AF传感器基于从所述传感器读取的信号检测焦点。该两个传感器每一个包括多个线性传感器11到13。该两个传感器每一个具有:多个积累控制电路(PB检测电路14到16及积累判决电路17到19),用于控制所述光电转换元件的积累时间;及多个扫描电路(移位寄存器21到23),用于读取出从所述光电转换元件输出的信号。所述AF传感器具有第一模式和第二模式,在第一模式中两个传感器中每个线性传感器的积累时间被独立控制以独立地读取信号输出,在第二模式中两个传感器中线性传感器的积累时间被共同控制以读取信号输出。
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公开(公告)号:CN101097288A
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200710127903.6
申请日:2007-06-29
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 通过提高AF速度实现低成本和高速度的AF传感器,而不必提供专用于大的散焦AF的传感器。该AF传感器具有两个传感器,每一个包括多个光电转换元件,该AF传感器基于从所述传感器读取的信号检测焦点。该两个传感器每一个包括多个线性传感器11到13。该两个传感器每一个具有:多个积累控制电路(PB检测电路14到16及积累判决电路17到19),用于控制所述光电转换元件的积累时间;及多个扫描电路(移位寄存器21到23),用于读取出从所述光电转换元件输出的信号。所述AF传感器具有第一模式和第二模式,在第一模式中两个传感器中每个线性传感器的积累时间被独立控制以独立地读取信号输出,在第二模式中两个传感器中线性传感器的积累时间被共同控制以读取信号输出。
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公开(公告)号:CN1159904C
公开(公告)日:2004-07-28
申请号:CN01135767.3
申请日:2001-10-17
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H04N5/2254 , H04N5/3415
Abstract: 提供了一种图象摄取设备,其中的每一个象素区都具有两维排列的象素,且每个象素都具有一个光电转换单元。该多个象素区被设置在一个单个的半导体芯片上从而通过一个预定的间隔而彼此相邻,且多个微透镜被形成在多个象素区上并在多个象素区之间的该预定间隔中。
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公开(公告)号:CN1440078A
公开(公告)日:2003-09-03
申请号:CN03106139.7
申请日:2003-02-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor: 高桥秀和
CPC classification number: H01L31/11 , H01L27/14643
Abstract: 提供一种固体摄像装置,降低测距用光电变换元件(AF传感器)和测光用光电变换元件(AE传感器)之间的串扰。其构成包括N型Epi层(202)、在半导体区域(202)内形成的P型第一阱区(203)、在半导体区域(202)内形成的和第一阱区电分离的P型第二阱区(203)、在第一阱区内形成的N型第一扩散区域(205)在第二阱区内形成的N型第二扩散区域(205),用P型的第一阱区和N型的第一扩散区域中形成测光用光电变换元件(AE传感器)(103),用P型的第二阱区和N型的第二扩散区域形成测距用光电变换元件(AF传感器)(101、102)。
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