公开(公告)号：CN103809369A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310724734.X

申请日：2006-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  洼田宽 ,  木名濑良纪 ,  冈崎智 ,  丸山保 ,  原口崇 ,  岩片政秀 ,  福岛祐一 ,  佐贺匡

IPC: G03F1/62

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31616

Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。

公开(公告)号：CN1900819B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN200610107711.4

申请日：2006-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  洼田宽 ,  木名濑良纪 ,  冈崎智 ,  丸山保 ,  原口崇 ,  岩片政秀 ,  福岛祐一 ,  佐贺匡

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54

Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。

公开(公告)号：CN1900819A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610107711.4

申请日：2006-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  洼田宽 ,  木名濑良纪 ,  冈崎智 ,  丸山保 ,  原口崇 ,  岩片政秀 ,  福岛祐一 ,  佐贺匡

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/16

Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm－1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。

公开(公告)号：CN103809369B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310724734.X

申请日：2006-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  洼田宽 ,  木名濑良纪 ,  冈崎智 ,  丸山保 ,  原口崇 ,  岩片政秀 ,  福岛祐一 ,  佐贺匡

IPC: G03F1/62

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31616

Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。

公开(公告)号：CN102654730B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201210160739.X

申请日：2006-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  洼田宽 ,  木名濑良纪 ,  冈崎智 ,  丸山保 ,  原口崇 ,  岩片政秀 ,  福岛祐一 ,  佐贺匡

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/56

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31616

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。

公开(公告)号：CN102654730A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210160739.X

申请日：2006-07-20

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川博树 ,  洼田宽 ,  木名濑良纪 ,  冈崎智 ,  丸山保 ,  原口崇 ,  岩片政秀 ,  福岛祐一 ,  佐贺匡

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/56

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/46 ,  G03F1/54 ,  G03F1/58 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/31616

Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。