公开(公告)号：CN100578358C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200410098151.1

申请日：2004-08-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡边武 ,  西恒宽 ,  土谷纯司 ,  船津显之 ,  长谷川幸士

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC classification number: C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111

Abstract: 一种包含式(1)、(2)、(3)和(4)的重复单元的聚合物，其在碱性显影剂中，在酸的作用提高了溶解速率，(见右式)R1、R2、R3和R6是H或CH3，R4和R5是H或OH，X是具有双环[2.2.1]庚烷框架的叔外-烷基基团，由式(X-1)-(X-4)的任一个表示：(见右式)其中R7是C1-C10烷基，Y是具有金刚烷结构的叔烷基。一种包括该创造性聚合物的抗蚀剂组合物具有对高能辐射的灵敏度，提高的分辨率和最小化的近似偏差并且采用电子束或深UV向其本身提供微图案而用于VLSI制造。

公开(公告)号：CN1607461A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410098151.1

申请日：2004-08-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡边武 ,  西恒宽 ,  土谷纯司 ,  船津显之 ,  长谷川幸士

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC classification number: C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111

Abstract: 一种包含式(1)、(2)、(3)和(4)的重复单元的聚合物，其在碱性显影剂中，在酸的作用提高了溶解速率，R1、R2、R3和R6是H或CH3，R4和R5是H或OH，X是具有双环[2.2.1]庚烷框架的叔外－烷基基团，由式(X－1)－(X－4)的任一个表示，其中R7是C1－C10烷基，Y是具有金刚烷结构的叔烷基。一种包括该创造性聚合物的抗蚀剂组合物具有对高能辐射的灵敏度，提高的分辨率和最小化的近似偏差并且采用电子束或深UV向其本身提供微图案而用于VLSI制造。