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公开(公告)号：CN110627600B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910539260.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C1/26 , C07C13/567 , C07C15/02 , C07C13/62 , C07C13/66 , C07D221/16 , C07D519/00 , C07C15/50 , C07C41/30 , C07C43/21 , C07C43/285 , C07D307/91 , C07D209/86 , C07D333/08 , C07D311/82 , C07D335/12 , C07C209/68 , C07C211/55 , C07C29/32 , C07C35/38 , C07C37/16 , C07C39/225 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1‑1)所示的结构。式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。
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公开(公告)号：CN110627600A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910539260.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C1/26 , C07C13/567 , C07C15/02 , C07C13/62 , C07C13/66 , C07D221/16 , C07D519/00 , C07C15/50 , C07C41/30 , C07C43/21 , C07C43/285 , C07D307/91 , C07D209/86 , C07D333/08 , C07D311/82 , C07D335/12 , C07C209/68 , C07C211/55 , C07C29/32 , C07C35/38 , C07C37/16 , C07C39/225 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供化合物、该化合物的制备方法及使用了该化合物的有机膜形成用组合物，该化合物能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成于基板的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物在分子内具有2个以上下述通式(1-1)所示的结构。 式中，Ar表示可具有取代基的芳香环或含有氮原子及硫原子中的1个以上的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线为与Y的结合键，Y为具备可具有取代基的芳香环或杂芳香环、且结合键位于芳香环结构或杂芳香环结构的碳原子数为6～30个的2价或3价有机基团；R为氢原子或碳原子数为1～68的1价基团。
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公开(公告)号：CN110317125B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910242725.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C35/38 , C07C29/42 , C07C69/16 , C07C67/08 , C07D335/16 , C07C43/205 , C07C41/18 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/115
Abstract: 本发明提供一种能够形成有机下层膜的化合物，该有机下层膜在空气中或非活性气体中的成膜条件下进行固化而不产生副产物，不仅形成于基板的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好。所述化合物在分子内具有2个以上下述通式(1‑1)所示的部分结构。[化学式1]式中，Ar各自独立地表示可具有取代基的芳香环或可具有取代基的含有1个以上氮原子的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线表示与有机基团的结合键；B为阴离子性离去基团，其可通过热、酸中的任意一种或两种的作用生成反应性阳离子。
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公开(公告)号：CN109388027B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201810864649.6
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Abstract: 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。
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公开(公告)号：CN110317125A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910242725.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C35/38 , C07C29/42 , C07C69/16 , C07C67/08 , C07D335/16 , C07C43/205 , C07C41/18 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/115
Abstract: 本发明提供一种能够形成有机下层膜的化合物，该有机下层膜在空气中或非活性气体中的成膜条件下进行固化而不产生副产物，不仅形成于基板的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好。所述化合物在分子内具有2个以上下述通式(1-1)所示的部分结构。[化学式1]式中，Ar各自独立地表示可具有取代基的芳香环或可具有取代基的含有1个以上氮原子的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线表示与有机基团的结合键；B为阴离子性离去基团，其可通过热、酸中的任意一种或两种的作用生成反应性阳离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110615732A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910539258.1
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C43/21 , C07C41/30 , C07C41/16 , C07C49/84 , C07C45/64 , C07C43/23 , C07D213/80 , C07D221/16 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1-1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。
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公开(公告)号：CN109388027A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810864649.6
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Abstract: 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。
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公开(公告)号：CN109388021A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810863232.8
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种可形成有机膜的有机膜形成用组合物，该有机膜能够通过使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地与已因干蚀刻而改性的硅成分残渣一并湿式去除。所述有机膜形成用组合物包含高分子化合物与有机溶剂，该高分子化合物具有由下述通式(1)～(4)表示的重复单元中的任意1种以上，在该有机溶剂中，选自丙二醇酯、酮及内酯中的1种以上的合计占超过全部有机溶剂中的30wt％的量。[化学式1]
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公开(公告)号：CN108693713A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275797.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C07C39/14 , C07C39/17 , C07C69/94 , C07C2603/18 , C07D251/32 , C07D487/04 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F2220/281 , C08F2800/20 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料、使用了该抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)下述通式(X)表示的化合物中的一种或两种以上；以及，(B)有机溶剂。[化学式1] 式中，n01表示1～10的整数，n01为2时，W表示亚硫酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数为2～50的二价有机基团，n01为2以外的整数时，W表示碳原子数为2～50的n01价有机基团。此外，Y表示单键或碳原子数为1～10的可包含氧原子的二价连接基团。
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公开(公告)号：CN108693705A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810275395.4
申请日：2018-03-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/11 , C07C39/14 , C07C39/15 , C07C49/83 , C07C2603/18 , C08F220/28 , C08F220/32 , C08F2220/283 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , H01L21/266 , H01L21/3081 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料，其含有：(A1)包含下述通式(1)表示的重复单元中的一种或两种以上的聚合物(1A)；(A2)式量为2,000以下的、不具有3,4‑二羟基苯基的多酚化合物中的一种或两种以上；以及(B)有机溶剂。[化学式1]
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