公开(公告)号：CN118794970B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202411277591.7

申请日：2024-09-12

Applicant: 兰州大学

Inventor： 张硕 ,  宋炳华 ,  王响成 ,  赵江涛 ,  王强 ,  陈亮 ,  方开洪

IPC: G01N23/203 ,  G16C60/00 ,  G06F30/25 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明公开一种硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的检测方法，属于半导体检测技术领域。该方法包括：（1）硅晶体内高对称位点和掺杂占据位点分析及检测沟道设计；（2）不同晶格位点掺杂元素对多沟道方向背散射产额贡献的理论计算；（3）不同沟道方向附近的卢瑟福沟道背散射产额图样的实验测量；（4）掺杂原子占据位置和比例的求解。相比于传统卢瑟福沟道背散射检测，该方法大大提升了掺杂元素占据晶格位置的检测精度，并能够给出不同晶格位置的占据比例；该方法实现了硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的精确、直观检测，在半导体质量评估、新掺杂技术研发以及科学研究等领域有重要应用。

公开(公告)号：CN118794970A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202411277591.7

申请日：2024-09-12

Applicant: 兰州大学

Inventor： 张硕 ,  宋炳华 ,  王响成 ,  赵江涛 ,  王强 ,  陈亮 ,  方开洪

IPC: G01N23/203 ,  G16C60/00 ,  G06F30/25 ,  G06F111/08

Abstract: 本发明公开一种硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的检测方法，属于半导体检测技术领域。该方法包括：（1）硅晶体内高对称位点和掺杂占据位点分析及检测沟道设计；（2）不同晶格位点掺杂元素对多沟道方向背散射产额贡献的理论计算；（3）不同沟道方向附近的卢瑟福沟道背散射产额图样的实验测量；（4）掺杂原子占据位置和比例的求解。相比于传统卢瑟福沟道背散射检测，该方法大大提升了掺杂元素占据晶格位置的检测精度，并能够给出不同晶格位置的占据比例；该方法实现了硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的精确、直观检测，在半导体质量评估、新掺杂技术研发以及科学研究等领域有重要应用。