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公开(公告)号：CN118239491B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410666194.2
申请日：2024-05-28
Applicant: 内蒙古兴固科技有限公司
Inventor： 万邓华
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅反应系统及制备方法，其中多晶硅反应系统中包括制备模块、反应模块和控制模块。通过使用制备模块将制备多晶硅的主要原料制备出来，其中制备多晶硅的主要原料为高纯度的三氯氢硅，高纯度的三氯氢硅与氢气反应所需要的反应温度以及反应环境通过反应模块进行制造，在控制模块的作用下，控制模块控制高纯度的三氯氢硅与氢气进入反应环境的速度，同时控制高纯度三氯氢硅和氢气的反应速率，确保高纯度的三氯氢硅与氢气均匀反应，防止反应生成的多晶硅发生破碎，一旦多晶硅发生破碎，则多晶硅的碎屑影响后续反应，从而降低生产厂家发生经济损失的概率。
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公开(公告)号：CN115540549B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202211199458.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 内蒙古兴固科技有限公司
Inventor： 万邓华
Abstract: 本发明涉及烘干技术领域，公开了一种晶硅片加工用烘干装置，包括工作台，工作台上设有热源，工作台的一侧设有背板，还包括夹持机构和装卸料机构；夹持机构，包括多个转动连接于背板中部的转轴，背板远离工作台的一侧设有驱动转轴往复转动的往复驱动组件；装卸料机构，包括一端与背板转动连接的滑动杆，滑动杆的中部滑动连接滑动座，滑动座的侧面滑动连接滑环，滑环与滑动座之间设有高度调节组件，滑环靠近工作台的一侧设有悬挂板，悬挂板上滑动连接有与夹持板对应的悬挂梁，悬挂梁远离背板的一端设有第二转动座。本发明适用于一种晶硅片加工用烘干装置，通过设置夹持机构使得多块晶硅片可以在热源上方左右摆动，避免了烘干的死角。
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公开(公告)号：CN117803944B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410136352.3
申请日：2024-01-31
Applicant: 内蒙古兴固科技有限公司
Inventor： 万邓华
IPC: F23K3/00
Abstract: 本发明涉及燃烧设备技术领域，具体的为一种节能窑炉燃料送料装置，包括料箱、螺旋输送机、导料管和燃烧送料组件，料箱用于暂存颗粒状的生物质燃料，螺旋输送机用于将料箱下部的物料向上输送，螺旋输送机的螺旋管与地面之间呈夹角设置。本发明设置了内筒、第一分料杆和第二分料杆，相当于将物料分成了两层，使得物料能够沿着第一分料杆的斜面或者第二分料杆的斜面有序的向下滚动，分层后的大物料在第一分料杆的导向作用下向远离第二壳体的方向滚动，分层后的小物料在第二分料杆的导向作用下向远离第二壳体的方向滚动，使得单位时间内进入到窑炉内的物料中大小颗粒物料的比例基本不变，从而保持燃烧火焰的稳定性。
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公开(公告)号：CN115540549A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211199458.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 内蒙古兴固科技有限公司
Inventor： 万邓华
Abstract: 本发明涉及烘干技术领域，公开了一种晶硅片加工用烘干装置，包括工作台，工作台上设有热源，工作台的一侧设有背板，还包括夹持机构和装卸料机构；夹持机构，包括多个转动连接于背板中部的转轴，背板远离工作台的一侧设有驱动转轴往复转动的往复驱动组件；装卸料机构，包括一端与背板转动连接的滑动杆，滑动杆的中部滑动连接滑动座，滑动座的侧面滑动连接滑环，滑环与滑动座之间设有高度调节组件，滑环靠近工作台的一侧设有悬挂板，悬挂板上滑动连接有与夹持板对应的悬挂梁，悬挂梁远离背板的一端设有第二转动座。本发明适用于一种晶硅片加工用烘干装置，通过设置夹持机构使得多块晶硅片可以在热源上方左右摆动，避免了烘干的死角。
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公开(公告)号：CN117602837B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410089349.0
申请日：2024-01-23
Applicant: 内蒙古兴固科技有限公司
Inventor： 万邓华
Abstract: 公开了一种耐腐蚀纳米微晶建筑板材的生产工艺。其首先将原料进行混合并将得到的混合料通过皮带输送机输送至熔化工段，接着，将熟料均匀地撒落在所述混合料上并将得到的配合料投入熔窑，然后，将所述配合料进行处理以得到熔液，并将所述熔液进行压延压制处理以得到纳米微晶新材料原板，接着，将所述纳米微晶新材料原板进行加热处理、核化和晶化处理以得到晶化新材料，然后，将所述晶化新材料进行降温处理后通过冷端进行在线纳米微晶缺陷检测和切割处理以得到成型纳米微晶材料，最后，将所述成型纳米微晶材料进行深加工处理以得到纳米微晶建筑板材。这样，可以得到质量稳定的纳米微晶建筑板材。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117602837A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202410089349.0
申请日：2024-01-23
Applicant: 内蒙古兴固科技有限公司
Inventor： 万邓华
Abstract: 公开了一种耐腐蚀纳米微晶建筑板材的生产工艺。其首先将原料进行混合并将得到的混合料通过皮带输送机输送至熔化工段，接着，将熟料均匀地撒落在所述混合料上并将得到的配合料投入熔窑，然后，将所述配合料进行处理以得到熔液，并将所述熔液进行压延压制处理以得到纳米微晶新材料原板，接着，将所述纳米微晶新材料原板进行加热处理、核化和晶化处理以得到晶化新材料，然后，将所述晶化新材料进行降温处理后通过冷端进行在线纳米微晶缺陷检测和切割处理以得到成型纳米微晶材料，最后，将所述成型纳米微晶材料进行深加工处理以得到纳米微晶建筑板材。这样，可以得到质量稳定的纳米微晶建筑板材。
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公开(公告)号：CN117340711B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311642937.4
申请日：2023-12-04
Applicant: 内蒙古兴固科技有限公司
Inventor： 万邓华
Abstract: 本发明提供一种单晶硅片磨削加工装置及其磨削加工方法，属于单晶硅片加工技术领域，包含工作台，所述工作台下端的边缘处固连着若干支座，所述电机一的输出端穿过工作台并固连着单晶硅片紧固件，所述工作台的下方安设着废料收集件，所述工作台的上端安设着横向移动件，所述承载板的上端安设着纵向移动件，所述纵向移动件上安设着电机二，所述电机二的输出端固连着砂轮。本发明解决了现有的单晶硅片磨削加工装置可能导致单晶硅片紧固的两边壁出现破损，进而造成单晶硅片的次品率大大升高，使得加工成本提高，同时磨削产生的废料直接暴露在工作环境中无法收集，严重影响了工作环境的问题。
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公开(公告)号：CN116750972B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311033712.9
申请日：2023-08-17
Applicant: 内蒙古兴固科技有限公司
Inventor： 万邓华
IPC: C03C10/00 , C03C1/00 , C03B13/01 , C03B32/02 , C03C17/245
Abstract: 本发明公开一种抗氧化纳米微晶新材料的制备工艺，涉及抗氧化纳米微晶新材料制备领域，解决的问题是提高抗氧化纳米微晶新材料制备质量和效率，采用的方法是，其中澄清剂采用阴离子表面活性剂和多聚丙烯酸钠增加抗氧化纳米微晶新材料的稳定性，所述交联剂采用异氰酸酯和环氧树脂提高强度和耐磨性，功能性填料提高抗氧化纳米微晶新材料力学性能和耐久性，原位水热法采用氢氧化铵与硝酸盐中硝酸锌反应，降低抗氧化纳米微晶新材料的吸水性，三辊压延方式实现将玻璃液压制成型为玻璃基板，核化处理采用化学气相沉积提高抗氧化纳米微晶新材料表面强度和抗氧化性，玻璃基板通过激光加热使得晶核长大扩散形成晶界。
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公开(公告)号：CN115488096A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211164665.7
申请日：2022-09-23
Applicant: 内蒙古兴固科技有限公司
Inventor： 万邓华
Abstract: 本发明涉及石英砂提纯技术领域，尤其涉及一种石英砂过滤提纯设备，包括箱体，所述箱体的外壁贯穿固定设置有进液管，所述箱体的内壁设置有驱动件一，且驱动件一的驱动端设置有转盘，所述转盘的外壁开设有等距离呈环形分布的安装口，且安装口中设置有过滤筒，所述过滤筒的外壁设置有固定环，且固定环的外壁设置有等距离呈环形分布的第一滚轮，所述第一滚轮的外壁和转盘的外壁之间相接触。本发明可以实现过滤筒的快速替换，避免出现更换石英砂的过程中导致设备无法进行酸洗的情况出现，且当转盘转动时，在振动机构的作用下可以使过滤筒产生振动，进而达到缩小过滤筒内石英砂之间缝隙的目的，可以进一步提升石英砂的酸洗效果，使用效果更佳。
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公开(公告)号：CN118239491A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410666194.2
申请日：2024-05-28
Applicant: 内蒙古兴固科技有限公司
Inventor： 万邓华
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅反应系统及制备方法，其中多晶硅反应系统中包括制备模块、反应模块和控制模块。通过使用制备模块将制备多晶硅的主要原料制备出来，其中制备多晶硅的主要原料为高纯度的三氯氢硅，高纯度的三氯氢硅与氢气反应所需要的反应温度以及反应环境通过反应模块进行制造，在控制模块的作用下，控制模块控制高纯度的三氯氢硅与氢气进入反应环境的速度，同时控制高纯度三氯氢硅和氢气的反应速率，确保高纯度的三氯氢硅与氢气均匀反应，防止反应生成的多晶硅发生破碎，一旦多晶硅发生破碎，则多晶硅的碎屑影响后续反应，从而降低生产厂家发生经济损失的概率。
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