薄膜晶体管阵列
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112640085B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN201980056430.6

    申请日:2019-08-23

    Abstract: 本发明提供一种消耗电力量小的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列包含:列布线、行布线、电容器布线;以及多个像素,该多个像素沿第一方向以及第二方向以矩阵状排列设置,具有薄膜晶体管等,多个像素形成M列N行的有效区域,薄膜晶体管的源极电极连接于列布线,栅极电极连接于行布线,漏极电极连接于像素电极,电容器电极连接于电容器布线,行布线为跨越沿第二方向排列的M个像素的长度,列布线为跨越沿第一方向排列的N/2个像素的长度,电容器布线为跨越沿第一方向排列的N个像素的长度。

    薄膜晶体管阵列
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112640085A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN201980056430.6

    申请日:2019-08-23

    Abstract: 本发明提供一种消耗电力量小的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列包含:列布线、行布线、电容器布线;以及多个像素,该多个像素沿第一方向以及第二方向以矩阵状排列设置,具有薄膜晶体管等,多个像素形成M列N行的有效区域,薄膜晶体管的源极电极连接于列布线,栅极电极连接于行布线,漏极电极连接于像素电极,电容器电极连接于电容器布线,行布线为跨越沿第二方向排列的M个像素的长度,列布线为跨越沿第一方向排列的N/2个像素的长度,电容器布线为跨越沿第一方向排列的N个像素的长度。

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