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公开(公告)号：CN112434401B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202011102502.7
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量；根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型，用于预测高频大功率变换器中，MOSFET栅源电压的干扰尖峰和振荡，具备简洁的数学表征和直观的物理意义。
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公开(公告)号：CN112446131A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011101998.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法，用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性。该参数设计方法包括：构造干扰路径传递函数的特征多项式；根据特征多项式构造标准二阶系统；取SiC MOSFET的输入电容Ciss和栅极内电阻Rg为基准值进行参数标幺化；验证杂散电感是否足够小，以保证标准二阶系统具有足够的阻尼比；设计辅助并联电容标幺值，使得标准二阶系统在具备充足的阻尼比前提下，获得适度的、持续时间较短的过渡过程，确保辅助并联电容不会过度影响开关速度；设计驱动电阻标幺值，均衡抑制栅源电压的干扰尖峰和干扰振荡，并防止因为驱动回路截止频率过低导致栅源电压变化过缓增大开关损耗。
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公开(公告)号：CN112434400A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011101993.3
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型，包括描述脉冲电压和脉冲电流干扰传导过程的双回路传递函数、描述干扰传导路径的标准二阶系统的特征方程。该模型用于揭示高频大功率变换器，MOSFET高速开通和关断时出现的栅源电压干扰机理，所述干扰传导路径模型，可以综合考虑脉冲电压和脉冲电流对MOSFET栅源电压干扰的影响，用于直观、迅速地判断功率变流系统中MOSFET驱动参数、MOSFET封装结构，以及PCB布局设计的合理性。
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公开(公告)号：CN112434401A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011102502.7
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的数学模型，将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量；根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型，用于预测高频大功率变换器中，MOSFET栅源电压的干扰尖峰和振荡，具备简洁的数学表征和直观的物理意义。
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公开(公告)号：CN112446131B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202011101998.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法，用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性。该参数设计方法包括：构造干扰路径传递函数的特征多项式；根据特征多项式构造标准二阶系统；取SiC MOSFET的输入电容Ciss和栅极内电阻Rg为基准值进行参数标幺化；验证杂散电感是否足够小，以保证标准二阶系统具有足够的阻尼比；设计辅助并联电容标幺值，使得标准二阶系统在具备充足的阻尼比前提下，获得适度的、持续时间较短的过渡过程，确保辅助并联电容不会过度影响开关速度；设计驱动电阻标幺值，均衡抑制栅源电压的干扰尖峰和干扰振荡，并防止因为驱动回路截止频率过低导致栅源电压变化过缓增大开关损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112434400B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011101993.3
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型的建模方法，包括描述脉冲电压和脉冲电流干扰传导过程的双回路传递函数、描述干扰传导路径的标准二阶系统的特征方程。该模型用于揭示高频大功率变换器，MOSFET高速开通和关断时出现的栅源电压干扰机理，所述干扰传导路径模型，可以综合考虑脉冲电压和脉冲电流对MOSFET栅源电压干扰的影响，用于直观、迅速地判断功率变流系统中MOSFET驱动参数、MOSFET封装结构，以及PCB布局设计的合理性。
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公开(公告)号：CN115378226A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210824846.1
申请日：2022-07-14
Applicant: 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种抑制碳化硅MMC共模电压的混沌层叠载波正弦脉宽调制方法，所述方法包括：选取混沌映射生成混沌序列，通过混沌序列产生混沌层叠载波；将目标调制波与混沌层叠载波进行比较，得到每个桥臂中每个子模块对应的脉冲信号；根据每个桥臂上的子模块电压大小对子模块进行排序，并根据所述脉冲信号分配驱动脉冲，达到子模块电压均衡，通过优化子模块开关序列，实时抑制共模电压高频跳变，有效降低MMC漏电流和共模噪声，改善其工作性能。
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公开(公告)号：CN118842322A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411006397.5
申请日：2024-07-25
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本申请提供了一种基于双极性β型电路结构的超高增益升压变换器拓扑与装置，该升压变换器拓扑包括输入源、负载、双极性β型电路与超高增益电路。通过将双极性β型电路的输入端与输入源连接，使得输入源的输出电压能够被双极性β型电路转换为两电平方波电压输出；通过将超高增益电路的输入端与双极性β型电路的输出端连接，使得双极性β型电路输出的两电平方波电压能够被超高增益电路中的储能元件转换为三倍于双极性β型电路输出电压的正向电压，实现超高增益升压变换器的输入和输出之间电压等级的转换，获得较高的增益特性，并通过对双极性β型电路中开关管的占空比进行调节，实现对升压变换器的增益调节。
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公开(公告)号：CN117592225A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311338744.X
申请日：2023-10-16
Applicant: 北京交通大学
IPC: G06F30/18 , H02M3/28 , G06V10/764
Abstract: 本发明提出一种隔离型直流变换器拓扑自生成方法，包括，设定隔离型直流变换器拓扑图的器件类型和器件数量，根据基于顶点素数度的隔离型直流变换器非同构图构建方法，以及设定条件生成隔离型直流变换器对应的所有非同构图，生成第一表；利用预设的第一条件对第一表中的非同构图筛选，生成第二表；将第二表中非同构图无向图转化为有向图，生成第三表；将第三表中的有向图建立为变换器的工作环路矩阵，并生成第四表；利用预设的第二条件对第四表中的环路电气约束筛选，生成第五表；利用预设的第三条件对第五表中的拓扑图分类，生成第一第六子表和第二第六子表。本发明的方法可以实现对隔离型直流变换器拓扑自生成。
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公开(公告)号：CN116599317A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310254501.1
申请日：2023-03-09
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提出一种电力电子变换器的时域动态特性改善控制生成方法，包括，通过状态空间平均法对电力电子变换器系统进行时域建模，得到雅可比矩阵；根据雅可比矩阵中各特征值实部模值和各特征值所形成子动态响应最大值描述电力电子变换器系统动态特性的调节时间和超调量；在雅可比矩阵中附加扰动元素，获得扰动矩阵；通过计算扰动矩阵的特征值灵敏度与各特征值子动态系数和峰值响应灵敏度，观察扰动元素对动态特性的影响；当动态特性满足预设条件时，借助矩阵变换，生成用于改进电力电子变换器系统动态特性的控制方法。
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