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公开(公告)号:CN113811389B
公开(公告)日:2023-04-11
申请号:CN202080000185.X
申请日:2020-02-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC: B01L3/00
Abstract: 一种微流控芯片和微流控系统。微流控芯片包括:相对设置的第一基板(1)和第二基板(2),以及位于第一基板(1)和第二基板(2)之间的液滴容纳空间(3)。其中,液滴容纳空间(3)包括用于生成子液滴的工作区(S1)。第一基板(1)包括第一衬底(11);多个驱动单元(12),间隔设置在第一衬底(11)靠近第二基板(2)一侧,且设置在第一衬底(11)对应工作区(S1)的区域。第二基板(2)包括第二衬底(21),能够随着温度的升高发生形变;多个温控单元(22),其与驱动单元(12)一一对应,温控单元(22)用于使第二衬底(21)对应温度单元(22)所在处温度升高而产生形变,从而第二衬底(21)形变处挤压液滴容纳空间(3)中的液滴使其分裂为至少两个子液滴。微流控系统包含微流控芯片。
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公开(公告)号:CN111359688A
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN202010242683.7
申请日:2020-03-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微流控芯片及其使用方法,该微流控芯片,包括:相对设置的第一基板和第二基板;第一基板,包括:第一衬底基板,以及位于第一衬底基板面向第二基板一侧的多个电致变色结构和驱动电路;第一基板与第二基板之间具有用于容置液滴的间隙;驱动电路,用于在检测阶段控制液滴所在位置处的电致变色结构透光,以使外部激发光穿过电致变色结构射向液滴。通过在第一基板中设置多个电致变色结构及驱动电路,在检测阶段,驱动电路可以控制液滴所在位置处的电致变色结构透光,以使外部激发光穿过电致变色结构射向液滴,从而驱动液滴发生荧光激发,实现对任意位置的液滴的光学检测,提高光学检测的效率。
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公开(公告)号:CN114585441B
公开(公告)日:2024-01-23
申请号:CN202080002175.X
申请日:2020-09-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC: B01L3/00
Abstract: 提供一种微流控芯片,其中,包括:第一衬底基板;第一电极,位于所述第一衬底基板上,且与驱动端走线电连接;第二电极,位于所述第一电极背离所述第一衬底基板的一侧,并与所述第一电极电绝缘隔开,所述第二电极中包括多个第二电极子块;所述第二电极在所述第一衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述第一衬底基板的正投影至少部分重叠;分压电阻,与所述第二电极子块一一连接,且与接地走线电连接。(56)对比文件WO 2016209775 A1,2016.12.29Yiyan Li .Emerging Microtechnologiesand Automated Systems for Rapid BacterialIdentification and AntibioticSusceptibility Testing《.SLAS Technology》.2017,第6卷(第6期),全文.李哲煜;孙凯;张笑颜;刘绍琴;江雷;任南琪.DNA片段分选微流控芯片发展现状.分析化学.2016,(04),全文.马占洁.TFT-LCD中耦合电容Cpd影响因素的研究.现代显示.2008,(08),全文.
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公开(公告)号:CN111266139B
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202010136822.8
申请日:2020-03-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种微流控芯片的温度控制系统、检测系统及温度控制方法。该温度控制系统包括:电路结构,用于设于微流控芯片内的功能层内并与微流控芯片的反应区相对应,电路结构包括至少两个热敏电阻和多个端口;端口包括输入端和输出端;主控单元,与每个端口均电连接,用于选择不同的输入端和/或不同的输出端,形成不同阻值的使用电路,使得电路结构在作为加热装置和作为温度传感器之间进行切换。本申请实施例的电路结构的复用的两种功能互不干扰,能实时控制反应区的温度,保证反应区始终处于需要的温度下,没有额外增加温度控制系统和检测系统的体积,成本较低。
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公开(公告)号:CN111886197A
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN201980000016.3
申请日:2019-01-03
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种膜层的构图方法,包括:提供具有第一表面(11)的膜层(1);在膜层(1)的第一表面(11)上形成n个刻蚀阻挡层(21,22),n为大于等于2的整数;以及利用n个刻蚀阻挡层(21,22)作为掩模对膜层(1)进行n次刻蚀而在第一表面(11)上形成凹陷结构,凹陷结构包括n种深度(h1,h2)不同的底面(1001,102),所述深度(h1,h2)是在垂直于膜层(1)的方向上从不同底面(1001,102)到第一表面(11)的距离,n次刻蚀中的相邻两次刻蚀包括在前刻蚀和在后刻蚀,在完成在前刻蚀之后,去除n个刻蚀阻挡层(21,22)的一部分以形成在后刻蚀的掩模,其中n个刻蚀阻挡层(21,22)的被去除的部分的材料与在后刻蚀的掩模的材料至少部分不同。该膜层构图方法在满足精度要求的同时,制作工艺简单,生产效率较高。
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公开(公告)号:CN111250184A
公开(公告)日:2020-06-09
申请号:CN202010104132.4
申请日:2020-02-20
Applicant: 北京京东方传感技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微流控芯片及其工作方法、金属离子检测装置,属于微流控技术领域。微流控芯片,包括:相对设置的第一基板和第二基板;第一基板和第二基板之间形成至少一个检测通道,每一检测通道包括:相对设置的第一电极和第二电极,第一电极包括多个间隔开的第一电极单元,第二电极包括多个间隔开的第二电极单元,其中,每个第一电极单元和相应的第二电极单元相对设置;位于第二电极朝向第一电极一侧的介电层,介电层采用有机树脂;以及位于第一电极和介电层之间的第一疏水层和第二疏水层,其中,第一疏水层和第二疏水层之间具有间隙,形成液滴容置空间。通过本发明的技术方案,能够提高金属离子的检测速度,降低检测金属离子的驱动电压。
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公开(公告)号:CN110967513A
公开(公告)日:2020-04-07
申请号:CN201911307664.1
申请日:2019-12-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了样本初筛芯片、样品检测方法及筛选芯片装置,可以通过控制含有样品的样本溶液加入到样本初筛芯片的初筛入液口中,并控制初筛入液口中的样本溶液进入通道,且依次流经第一初筛区域和第二初筛区域后从初筛出液口流出,以使第一初筛区域存储有具有样品的液体,这样可以将含有样品的液体初步筛选出来。
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公开(公告)号:CN113671359B
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202010412615.0
申请日:2020-05-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
IPC: G01R31/317 , G01R31/28 , G01R27/02 , B01L3/00
Abstract: 本申请公开了一种数字微流控制芯片及其故障检测方法,涉及故障检测技术领域。该数字微流控制芯片中的驱动电路可以为多个第二电极中待检测的目标第二电极提供驱动信号,阻抗检测电路可以用于检测多个第二电极中每个第二电极与第一电极之间的阻抗,并将得到的多个阻抗发送至控制器,控制器可以根据检测到的多个阻抗确定目标第二电极是否存在故障,由于无需使液滴沿预设路径遍历多个第二电极,因此有效提高了故障检测的效率。
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公开(公告)号:CN110967513B
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN201911307664.1
申请日:2019-12-18
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
Abstract: 本发明公开了样本初筛芯片、样品检测方法及筛选芯片装置,可以通过控制含有样品的样本溶液加入到样本初筛芯片的初筛入液口中,并控制初筛入液口中的样本溶液进入通道,且依次流经第一初筛区域和第二初筛区域后从初筛出液口流出,以使第一初筛区域存储有具有样品的液体,这样可以将含有样品的液体初步筛选出来。
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公开(公告)号:CN111450907A
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN202010337805.0
申请日:2020-04-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方传感技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微流控器件、样品混匀方法、微流控系统,用以在微流控器件上进行样品快速混匀,提高微流控器件的检测效率。本申请实施例提供的一种微流控器件,所述微流控芯片包括:对盒设置的下基板和上基板;所述下基板包括:下衬底基板,位于所述下衬底基板面向所述上基板一侧的容纳液滴的微流道;所述上基板包括:上衬底基板,位于所述上衬底基板面向所述下基板一侧的多个电极组,位于所述电极组面向所述下基板一侧的介质层;所述电极组的正投影落入所述微流道的正投影内;所述电极组被配置为:对所述电极组施加电压,以使所述介质层发生可逆介电击穿。
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