公开(公告)号：CN113541476A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110813852.2

申请日：2021-07-19

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 李萍 ,  鲁宜汶 ,  张庆贺 ,  刘国忠

IPC: H02M3/08 ,  H02M3/156

Abstract: 本发明公开了一种基于软开关的对称型双Boost电路及实现方法，包括对称软开关拓扑电路，以及对称型双Boost拓扑电路，所述对称型双Boost拓扑电路包括对称的两个同类型Boost基础拓扑电路，两个所述Boost基础拓扑电路对称连接可实现中高功率的DC‑DC整流，所述对称软开关拓扑结构包括对称的两个软开关拓扑结构，两个所述软开关拓扑结构分别对应内置于两个所述Boost基础拓扑电路。本发明在对称型双Boost拓扑电路中内置对称软开关拓扑电路，实现了功率管Sb零电流关断条件和零电压开通条件，同时，对称软开关拓扑电路也使功率二极管VD1、VD2工作在零电流关断、零电压导通状态，整体上减少功率开关器件Sb以及功率二管VD1、VD2损耗，提高变换器效率。

公开(公告)号：CN113541476B

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202110813852.2

申请日：2021-07-19

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 李萍 ,  鲁宜汶 ,  张庆贺 ,  刘国忠

IPC: H02M3/08 ,  H02M3/156

Abstract: 本发明公开了一种基于软开关的对称型双Boost电路及实现方法，包括对称软开关拓扑电路，以及对称型双Boost拓扑电路，所述对称型双Boost拓扑电路包括对称的两个同类型Boost基础拓扑电路，两个所述Boost基础拓扑电路对称连接可实现中高功率的DC‑DC整流，所述对称软开关拓扑结构包括对称的两个软开关拓扑结构，两个所述软开关拓扑结构分别对应内置于两个所述Boost基础拓扑电路。本发明在对称型双Boost拓扑电路中内置对称软开关拓扑电路，实现了功率管Sb零电流关断条件和零电压开通条件，同时，对称软开关拓扑电路也使功率二极管VD1、VD2工作在零电流关断、零电压导通状态，整体上减少功率开关器件Sb以及功率二管VD1、VD2损耗，提高变换器效率。