公开(公告)号：CN115809576B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202211445585.9

申请日：2022-11-18

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 端木正 ,  王奕宁 ,  吕思远 ,  郭军伟 ,  郭阳宽 ,  张晓青 ,  万蔡辛

IPC: G06F30/23 ,  G06T17/00 ,  G06F115/04 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08 ,  G06F119/18

Abstract: 本发明公开了硅基MEMS工艺与多物理场耦合的器件性能评估方法，该方法包括：对具有硅基MEMS基底的器件进行制造工艺仿真，获得工艺仿真模型；对工艺仿真模型进行结构设计拓扑，获得拓扑重构后的三维模型；基于拓扑重构后的三维模型，建立工艺及设计耦合模型，并基于耦合物理环境确定耦合时的物理场；进行多物理场数值仿真计算；基于仿真计算结果进行器件性能评估。本发明解决了MEMS制造工艺和几何构型的耦合问题，创新性的数值算法及结构耦合，可以进行MEMS器件结构及制造工艺的优化，大大节省MEMS器件研发成本和周期。

公开(公告)号：CN115809576A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211445585.9

申请日：2022-11-18

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 端木正 ,  王奕宁 ,  吕思远 ,  郭军伟 ,  郭阳宽 ,  张晓青 ,  万蔡辛

IPC: G06F30/23 ,  G06T17/00 ,  G06F115/04 ,  G06F111/10 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08 ,  G06F119/18

Abstract: 本发明公开了硅基MEMS工艺与多物理场耦合的器件性能评估方法，该方法包括：对具有硅基MEMS基底的器件进行制造工艺仿真，获得工艺仿真模型；对工艺仿真模型进行结构设计拓扑，获得拓扑重构后的三维模型；基于拓扑重构后的三维模型，建立工艺及设计耦合模型，并基于耦合物理环境确定耦合时的物理场；进行多物理场数值仿真计算；基于仿真计算结果进行器件性能评估。本发明解决了MEMS制造工艺和几何构型的耦合问题，创新性的数值算法及结构耦合，可以进行MEMS器件结构及制造工艺的优化，大大节省MEMS器件研发成本和周期。