公开(公告)号：CN118059318A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410193366.9

申请日：2024-02-21

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 李好义 ,  高觊兴 ,  丁熙 ,  王宇航 ,  杨卫民 ,  丁玉梅

IPC: A61L27/40 ,  A61L27/18 ,  A61L27/36 ,  A61L27/58 ,  A61L27/54 ,  A61L27/56 ,  D04H1/728 ,  D04H1/559 ,  D04H1/558 ,  D04H1/56 ,  D04H1/55 ,  A61F2/00

Abstract: 本发明公开一种多层可吸收人工硬脑膜修补片及其制备方法，其中硬脑膜修补片包括脑膜层、载药层、骨膜层和促生层，脑膜层由熔体静电纺丝法或熔体喷纺法制备，具有疏水性和各向同性结构；载药层由熔体静电直写或熔体3D打印制备，起到促进神经修复和伤口愈合的作用；骨膜层由熔体静电纺丝法或熔体喷纺法制备，具有亲水性和各项异性结构，促生层通过溶液浇铸法或涂布法制备，提高硬脑膜生物相容性并促进细胞生长和繁殖，各层之间通过热压或超声焊接进行粘合。本发明所制备的硬脑膜修补片具有仿生结构、无溶剂、强度高和生物相容性好等优点，避免了传统硬脑膜修补片制备技术存在污染环境、生物相容性差以及溶液静电纺丝存在溶剂有毒且难以去除等问题。

公开(公告)号：CN118059318B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410193366.9

申请日：2024-02-21

Applicant: 北京化工大学

Inventor： 李好义 ,  高觊兴 ,  丁熙 ,  王宇航 ,  杨卫民 ,  丁玉梅

IPC: A61L27/40 ,  A61L27/18 ,  A61L27/36 ,  A61L27/58 ,  A61L27/54 ,  A61L27/56 ,  D04H1/728 ,  D04H1/559 ,  D04H1/558 ,  D04H1/56 ,  D04H1/55 ,  A61F2/00

Abstract: 本发明公开一种多层可吸收人工硬脑膜修补片及其制备方法，其中硬脑膜修补片包括脑膜层、载药层、骨膜层和促生层，脑膜层由熔体静电纺丝法或熔体喷纺法制备，具有疏水性和各向同性结构；载药层由熔体静电直写或熔体3D打印制备，起到促进神经修复和伤口愈合的作用；骨膜层由熔体静电纺丝法或熔体喷纺法制备，具有亲水性和各项异性结构，促生层通过溶液浇铸法或涂布法制备，提高硬脑膜生物相容性并促进细胞生长和繁殖，各层之间通过热压或超声焊接进行粘合。本发明所制备的硬脑膜修补片具有仿生结构、无溶剂、强度高和生物相容性好等优点，避免了传统硬脑膜修补片制备技术存在污染环境、生物相容性差以及溶液静电纺丝存在溶剂有毒且难以去除等问题。