公开(公告)号：CN101924003B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200910086630.4

申请日：2009-06-12

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 荣延栋

IPC: H05H1/34 ,  C23C16/50 ,  H01J37/04

Abstract: 本发明公开了一种电极结构及等离子体设备，电极结构由多块石墨板拼接之后放在边框中，石墨板与边框之间设有弹性元件。将石墨板放入边框后，石墨板便会被弹性元件顶住夹紧，这样既保证了石墨板在高温或者低温的情况下不会出现缝隙，又保证了石墨板拆卸维护时的便捷。可以应用在等离子体增强化学气相沉积设备的工艺腔室中。

公开(公告)号：CN101752457A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810240163.1

申请日：2008-12-18

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 荣延栋

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/54 ,  C23C16/44

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池制造方法，包括：101)制造形成PN结；102)淀积减反射膜；103)判断是否需要清洁工艺腔室，如果是，则转到步骤104)，如果否，则转到步骤105)；104)清洁工艺腔室；105)制作电极。另外，本发明还涉及一种太阳能电池制造设备，包括工艺腔室、进气装置、抽气装置，PN结形成模块，淀积模块，控制模块，腔室清洁模块，电极制作模块。本发明所提供的太阳能电池制造方法及设备，可在无需停机的前提下，当判断出工艺腔室需要进行清洁时对其进行清洁处理。因此，本发明所提供的太阳能电池制造方法及设备能够有效减少甚至消除因腔室内壁附着物脱落而对硅片造成的污染，并提高设备生产效率。

公开(公告)号：CN100527361C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610164845.X

申请日：2006-12-06

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 荣延栋

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种气体分布装置，用于向反应腔室供气，包括中部供气装置和边缘供气装置，中部供气装置包括喷嘴，设于反应腔室的上壁的中部，用于为反应腔室的中部区域供气；边缘供气装置包括进气环，设于反应腔室内上部的边缘部位，进气环上均匀设置有多个进气孔，用于为反应腔室的边缘区域供气。中部供气装置和边缘供气装置设有单独的供气气路，并设有单独的流量控制装置。使得反应腔室内的硅片上方中央与周围气体分布均匀，尤其适用于半导体硅片加工设备的供气系统中，也适用于其它场合的供气。

公开(公告)号：CN1851850A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200510126284.X

申请日：2005-12-02

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 荣延栋

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种可以去除刻蚀工艺过程中产生的聚合物的硅片卸载工艺，该工艺包括两个步骤：(1)初步硅片卸载；(2)消除静电卡盘表面残余电荷并去除图形硅片表面的聚合物。其中步骤(1)所使用的气体选自He和N2中的一种或其组合，步骤(2)所使用的气体为He和O2的混合气体或N2和O2的混合气体。利用本发明的工艺，在起到硅片卸载作用的同时还能够减少图形硅片刻蚀后表面的聚合物。

公开(公告)号：CN1850350A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200510126356.0

申请日：2005-12-07

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 荣延栋

IPC: B05B1/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/513 ,  C23F3/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，具体涉及一种提高进气均匀性的进气装置。本发明公开的一种提高腔室进气均匀性的进气装置，包括圆筒状喷嘴主体，所述圆筒状喷嘴主体底端部设有底板，底板上有通孔，所述圆筒状喷嘴主体的下部内壁设有栅，其中，圆筒状喷嘴主体和底板连为一体。本发明与已有技术相比，增大了进气压力，使得进入腔室内的气体更均匀，从而使得等离子体更均匀；改善了工艺的均匀性。

公开(公告)号：CN102244137A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201010178151.8

申请日：2010-05-14

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 荣延栋

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/052

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，属于太阳能电池技术领域，其可解决现有的太阳能电池效率低的问题。本发明的太阳能电池制造方法包括对太阳能电池基底进行氢处理的步骤，所述氢处理包括在含氢气氛中于800～1500℃的温度下处理太阳能电池基底。本发明的太阳能电池在制备中经历了上述氢处理。本发明可用于晶体硅太阳能电池。

公开(公告)号：CN101752457B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200810240163.1

申请日：2008-12-18

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 荣延栋

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/54 ,  C23C16/44

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池制造方法，包括：101)制造形成PN结；102)淀积减反射膜；103)判断是否需要清洁工艺腔室，如果是，则转到步骤104)，如果否，则转到步骤105)；104)清洁工艺腔室；105)制作电极。另外，本发明还涉及一种太阳能电池制造设备，包括工艺腔室、进气装置、抽气装置，PN结形成模块，淀积模块，控制模块，腔室清洁模块，电极制作模块。本发明所提供的太阳能电池制造方法及设备，可在无需停机的前提下，当判断出工艺腔室需要进行清洁时对其进行清洁处理。因此，本发明所提供的太阳能电池制造方法及设备能够有效减少甚至消除因腔室内壁附着物脱落而对硅片造成的污染，并提高设备生产效率。

公开(公告)号：CN101764176A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810225491.4

申请日：2008-11-03

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 荣延栋

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种硅太阳能电池的制造方法，在表面成膜步骤之后增加H等离子体处理步骤，在H2气体放电等离子体气氛中进行H化处理，H等离子体中含有大量的H离子，这些H离子可以和表面的各种悬挂键结合，饱和悬挂键等缺陷；另外高温可以减小硅中的空洞、颗粒等缺陷，自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等会使系统的自由能降低，转变为热力学中更稳定的状态。能有效的减小电池的表面复合，提高太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN100399504C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200510126284.X

申请日：2005-12-02

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 荣延栋

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种可以去除刻蚀工艺过程中产生的聚合物的硅片卸载工艺，该工艺包括两个步骤：(1)初步硅片卸载；(2)消除静电卡盘表面残余电荷并去除图形硅片表面的聚合物。其中步骤(1)所使用的气体选自He和N2中的一种或其组合，步骤(2)所使用的气体为He和O2的混合气体或N2和O2的混合气体。利用本发明的工艺，在起到硅片卸载作用的同时还能够减少图形硅片刻蚀后表面的聚合物。

公开(公告)号：CN1848369A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200510126300.5

申请日：2005-12-05

Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

Inventor： 荣延栋

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F1/12 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明提供了一种新的硅片卸载工艺，包括(1)静电卡盘表面电荷中和；(2)硅片表面残余电荷消除。其中步骤(1)气体流量为200－400sccm，腔室内的压强为60－90mT，上电极功率150－300W；步骤(2)气体流量为200－400sccm，腔室内的压强为60－90mT上电极功率80－150W。利用本发明的工艺，不仅能够缩短硅片卸载时间，提高产量，并且能够减小硅片表面粗糙度，满足先进栅刻蚀工艺的需要。