公开(公告)号：CN112388250A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010995720.1

申请日：2020-09-21

Applicant: 北京卫星制造厂有限公司

Inventor： 张孝辉 ,  张加波 ,  赵国龙 ,  张开虎 ,  赵长喜 ,  郑立彦 ,  王儒华 ,  李扬州

IPC: B23P15/00 ,  C23C8/10

Abstract: 本发明涉及一种高体积分数铝基碳化硅材料的加工方法，其特征在于包括：粗加工阶段，执行如下步骤：S1、对铝基碳化硅材料进行激光诱导氧化处理，使铝基碳化硅材料表面发生氧化，形成疏松氧化层和过渡层；S2、采用硬质合金刀具对诱导后的铝基碳化硅材料表面氧化层进行加工去除；S3、重复执行步骤S1～S2，完成高体积分数铝基碳化硅材料表面的单层诱导氧化加工；S4、重复执行步骤S1～S3，直到加工深度达到加工尺寸要求的2mm余量，进入精加工阶段；精加工阶段，执行如下步骤：S5、采用多维振动超声铣削方式，去除粗加工后的铝基碳化硅材料表面的过渡层及基体层，形成已加工的精密表面。