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公开(公告)号：CN119014954A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411369934.2
申请日：2024-09-29
Applicant: 北京大学第一医院(北京大学第一临床医学院)
Abstract: 本申请涉及智能医疗领域，具体涉及一种前列腺穿刺活检的方法、设备及程序产品。包括S1：获取待测者影像；S2：基于所述影像进行感兴趣区域识别并分割得到感兴趣区域影像；S3：基于所述感兴趣区域影像进行活检穿刺位置定位得到活检位置，所述活检穿刺的位置包括九个穿刺位点。本申请通过局部饱和穿刺方法实现了和常规系统联合靶向穿刺相近的诊断效能且具有更好的安全性，具有很好的临床应用价值。
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公开(公告)号：CN119170476A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411289282.1
申请日：2024-09-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于化学离子化质谱的分子离子反应腔，包括采样模块、进气模块、反应模块和电源模块，采样模块设有主管路和引流旁路；进气模块中心开孔以固定毛细管；反应模块内部为锥形空腔，靠近其顶端侧面设有离子源进气通道，底面中心设有出气孔；采样气体由主管路通过毛细管从锥形空腔顶端进入，与由离子源进气通道进入的离子在锥形空腔中反应，反应后气体从出气孔进入质谱检测器；电源模块为锥形空腔提供一个径向聚焦电场。引流旁路有效降低了反应腔对有机物的响应时间，毛细管可根据不同实验条件予以更换，锥形反应腔结构在层流状态时有效降低离子损耗，提高离子化效率，通过外置温度调节装置、真空泵实现对分子离子反应进程的有效控制。
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公开(公告)号：CN101814049A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010131849.4
申请日：2010-03-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种内存泄漏探测方法，属于虚拟化技术领域。本发明的方法为：1)虚拟机管理器截获内存资源的申请函数和释放函数的地址，从而获取分配的动态内存信息；2)根据动态内存的起始地址和长度，计算该动态内存所跨越的所有内存监控单元；3)在影子页表中删除对所述内存监控单元的虚拟地址到机器地址的映射关系；4)虚拟机陷入时，虚拟机管理器监测2)中的内存监控单元是否被访问；5)监控策略模块将设定时间内未被应用程序访问的内存监控单元所在的动态内存项视为存在内存泄漏嫌疑的动态内存项。与现有技术相比，本发明能够发现潜在的内存泄露，且不需要修改被探测程序的源代码，也不需要重新编译，为被测试代码提供了透明性。
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公开(公告)号：CN101767766A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010103876.0
申请日：2010-01-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法。该方法首先在硅基材上形成一半硬掩膜图形，然后淀积纳米厚度的多晶硅，在第一半硬掩膜侧面形成多晶硅侧壁，再在多晶硅侧壁的另一侧形成第二半硬掩膜，最后利用各向异性刻蚀对硅和硬掩膜的高刻蚀选择比刻蚀硅，刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行，直至刻蚀硅基材至所需深度，形成纳米间隙。本发明提出的纳米间隙制作工艺简单、可靠，可应用于多种微纳机电器件的制备，例如纳隙电容式谐振器的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101150300A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710121861.5
申请日：2007-09-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面电容谐振器的方法，包括如下步骤：1)在硅片上LPCVD一层氮化硅层，第一次光刻并RIE刻蚀氮化硅层；2)第二次光刻，并以该光刻胶作为掩膜，在感应耦合等离子体系统中各向异性干法刻蚀硅，形成深槽；3)对刻蚀后的硅片氧化，然后湿法腐蚀掉氧化层，以平坦化刻蚀后的硅结构侧壁；4)LPCVD并刻蚀SiO2，在深槽侧壁形成自对准氧化层；5)LPCVD多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，形成多晶硅传感电极和驱动电极；6)先各向异性再各向同性ICP刻蚀硅，悬空谐振体结构；7)HF腐蚀SiO2直到谐振体释放，得到所述平面电容谐振器。
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公开(公告)号：CN115364106A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110533563.7
申请日：2021-05-17
Applicant: 北京大学人民医院
IPC: A61K31/573 , A61K31/203 , A61P7/04 , A61P37/02
Abstract: 本发明公开了一种全反式维A酸联合大剂量地塞米松在ITP中的应用。本发明要求保护全反式维A酸和地塞米松联用在制备治疗免疫性血小板减少症的产品中的应用。本发明还要求保护全反式维A酸和地塞米松联用在制备缓解出血的产品中的应用。本发明进行了第一个开放的、多中心、随机对照、2期临床试验来评估ATRA联合HD‑DXM作为ITP一线治疗方案的有效性和安全性。
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公开(公告)号：CN101767766B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201010103876.0
申请日：2010-01-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳机电器件中纳米间隙的制作方法。该方法首先在硅基材上形成一半硬掩膜图形，然后淀积纳米厚度的多晶硅，在第一半硬掩膜侧面形成多晶硅侧壁，再在多晶硅侧壁的另一侧形成第二半硬掩膜，最后利用各向异性刻蚀对硅和硬掩膜的高刻蚀选择比刻蚀硅，刻蚀沿着夹在第一和第二半硬掩膜间的多晶硅侧壁进行，直至刻蚀硅基材至所需深度，形成纳米间隙。本发明提出的纳米间隙制作工艺简单、可靠，可应用于多种微纳机电器件的制备，例如纳隙电容式谐振器的制备。
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公开(公告)号：CN101150300B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200710121861.5
申请日：2007-09-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备平面电容谐振器的方法，包括如下步骤：1)在硅片上LPCVD一层氮化硅层，第一次光刻并RIE刻蚀氮化硅层；2)第二次光刻，并以该光刻胶作为掩膜，在感应耦合等离子体系统中各向异性干法刻蚀硅，形成深槽；3)对刻蚀后的硅片氧化，然后湿法腐蚀掉氧化层，以平坦化刻蚀后的硅结构侧壁；4)LPCVD并刻蚀SiO2，在深槽侧壁形成自对准氧化层；5)LPCVD多晶硅，光刻并刻蚀多晶硅，形成多晶硅传感电极和驱动电极；6)先各向异性再各向同性ICP刻蚀硅，悬空谐振体结构；7)HF腐蚀SiO2直到谐振体释放，得到所述平面电容谐振器。
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