公开(公告)号：CN116206981A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310487898.9

申请日：2023-05-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 廖志敏 ,  曹正炀 ,  娄晗歆 ,  俞大鹏

IPC: H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种规模化制备全二维短沟道场效应晶体管的方法。本发明通过采用单层石墨烯作为与半导体材料接触的源漏电极，有效抑制肖特基势垒，降低了场效应晶体管的功耗；采用单层二维半导体层作为沟道材料，降低短沟道效应带来的影响；采用氦离子显微镜对单层石墨烯进行聚焦氦离子束直写刻蚀，能够稳定得到纳米尺度的沟道；本发明所定义的沟道的宽度为场效应晶体管内实际参与工作的单层二维半导体层的宽度，提升场效应晶体管性能的稳定性；利用干法转移得到范德华异质结，局域电介电层同时作为保护层将沟道材料进行封装，有效提升场效应晶体管的质量与耐久度；局域电介电层和全域电介电层形成上下调制的双栅极结构，提升场效应晶体管的性能。

公开(公告)号：CN116206981B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310487898.9

申请日：2023-05-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 廖志敏 ,  曹正炀 ,  娄晗歆 ,  俞大鹏

IPC: H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种规模化制备全二维短沟道场效应晶体管的方法。本发明通过采用单层石墨烯作为与半导体材料接触的源漏电极，有效抑制肖特基势垒，降低了场效应晶体管的功耗；采用单层二维半导体层作为沟道材料，降低短沟道效应带来的影响；采用氦离子显微镜对单层石墨烯进行聚焦氦离子束直写刻蚀，能够稳定得到纳米尺度的沟道；本发明所定义的沟道的宽度为场效应晶体管内实际参与工作的单层二维半导体层的宽度，提升场效应晶体管性能的稳定性；利用干法转移得到范德华异质结，局域电介电层同时作为保护层将沟道材料进行封装，有效提升场效应晶体管的质量与耐久度；局域电介电层和全域电介电层形成上下调制的双栅极结构，提升场效应晶体管的性能。