公开(公告)号：CN110323311A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910504881.3

申请日：2019-06-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 林芳 ,  廖志敏 ,  廖馨

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01L33/26 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/ZnO纳米线/p-GaN薄膜的LED点光源及其制备方法。本发明采用生长衬底、p-GaN薄膜层、正电极、绝缘层、凹槽、ZnO纳米线、负电极和单层石墨烯；单根ZnO纳米线放置在p-GaN薄膜层上的凹槽内，形成ZnO纳米线/p-GaN异质结，单层石墨烯覆盖在ZnO纳米线和负电极上；单层石墨烯与ZnO纳米线接触面积大，有效增加了载流子注入面积，提高了注入效率；同时，采取此种方法得到的器件对ZnO纳米线不造成损伤，使得发光效率大幅度提升；本发明在ZnO纳米线的一端形成纳米尺度点光源，将有效减小光电子器件的尺寸，在光电子器件的精确单片集成、超高分辨生物医学和超级电容信息储存等领域应用广泛。

公开(公告)号：CN110323311B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201910504881.3

申请日：2019-06-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 林芳 ,  廖志敏 ,  廖馨

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01L33/26 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/ZnO纳米线/p‑GaN薄膜的LED点光源及其制备方法。本发明采用生长衬底、p‑GaN薄膜层、正电极、绝缘层、凹槽、ZnO纳米线、负电极和单层石墨烯；单根ZnO纳米线放置在p‑GaN薄膜层上的凹槽内，形成ZnO纳米线/p‑GaN异质结，单层石墨烯覆盖在ZnO纳米线和负电极上；单层石墨烯与ZnO纳米线接触面积大，有效增加了载流子注入面积，提高了注入效率；同时，采取此种方法得到的器件对ZnO纳米线不造成损伤，使得发光效率大幅度提升；本发明在ZnO纳米线的一端形成纳米尺度点光源，将有效减小光电子器件的尺寸，在光电子器件的精确单片集成、超高分辨生物医学和超级电容信息储存等领域应用广泛。