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发明公开
一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法审中-公开

公开(公告)号：CN119894054A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411925856.X

申请日：2024-12-25

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 , 刘梦然 , 姜振东 , 王云萍 , 张盛东

IPC: H10D30/67 , H10D62/10 , H10D30/01

Abstract: 本申请涉及一种氧化物薄膜晶体管，包括衬底；有源层，位于所述衬底上方，包括沟道区域以及源漏区域；吸氢层，位于所述有源层上方，其中所述吸氢层位于所述沟道区域上方的部分被去除；富氢密封绝缘层，位于所述吸氢层上方，其中所述富氢密封绝缘层位于所述沟道区域上方的部分被去除；顶栅介质层，位于所述富氢密封绝缘层和所述有源层沟道区域上方；顶栅，位于所述顶栅介质层上方；源极和漏极，分别与所述沟道区域两侧的所述吸氢层接触。

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