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公开(公告)号:CN101628336A
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200910090710.7
申请日:2009-08-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: B22F3/16
Abstract: 一种含钪扩散阴极的制备方法,属于难熔金属阴极材料技术领域。目前,溶胶-凝胶法制备的压制型扩散阴极一直没有解决前驱粉末制备工艺简化和制备过程中引入杂质元素的问题。导致在制备阴极的过程中工艺繁杂,同时杂质元素的存在会对阴极性能产生不利影响。本发明提供的压制性扩散阴极的方法,将Sc(NO 3 ) 3 、Ba(NO 3 ) 2 、Ca(NO 3 ) 2 、Al(NO 3 ) 3 和偏钨酸铵分别溶于水中后混合,采用喷雾干燥法制备出前驱粉末,煅烧后前驱粉末分解,去除其中N元素,将粉末还原后压制成试样,随后在氢气气氛下一次烧结成阴极材料,本发明的可重复性强,工艺简单,便于规模生产,制备出的阴极材料在850℃具有优异的发射性能。电流密度达到39.85A/cm 2 。
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公开(公告)号:CN102184818B
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201110083258.9
申请日:2011-04-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种碳化镧-钨热阴极材料及其制备方法属于难熔金属阴极材料技术领域。一种碳化镧-钨热阴极材料,其特征在于:它含有La2C3和金属钨粉,其中碳化镧的含量占材料总重量的5%-20%。制备方法包括以下步骤:将质量比为8∶1的氢化镧粉末和石墨粉末,在氩气气氛保护下混合均匀,放入真空炉中加热到1200℃,保温30分钟,得到生成物La2C3。将制取的La2C3与钨粉在真空中用球磨的方法混合均匀,然后将粉末放入磨具中,用放电等离子烧结的方法进行烧结。采用机车加工的方法制备出所需阴极。该热阴极材料制备工艺简单、热发射性能好、发射稳定性好。
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公开(公告)号:CN102184818A
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN201110083258.9
申请日:2011-04-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种碳化镧-钨热阴极材料及其制备方法属于难熔金属阴极材料技术领域。一种碳化镧-钨热阴极材料,其特征在于:它含有La2C3和金属钨粉,其中碳化镧的含量占材料总重量的5%-20%。制备方法包括以下步骤:将质量比为8∶1的氢化镧粉末和石墨粉末,在氩气气氛保护下混合均匀,放入真空炉中加热到1200℃,保温30分钟,得到生成物La2C3。将制取的La2C3与钨粉在真空中用球磨的方法混合均匀,然后将粉末放入磨具中,用放电等离子烧结的方法进行烧结。采用机车加工的方法制备出所需阴极。该热阴极材料制备工艺简单、热发射性能好、发射稳定性好。
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公开(公告)号:CN101764006A
公开(公告)日:2010-06-30
申请号:CN201010033827.4
申请日:2010-01-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种浸渍型钪钨扩散式阴极材料的制备方法属于难熔金属阴极材料技术领域。本发明步骤:1)将偏钨酸铵、硝酸钪分别溶于水形成溶液;然后,将硝酸钪溶液加入偏钨酸铵溶液中混合,混合溶液的浓度为20-40g/L;采用喷雾干燥制备阴极材料前驱粉末,进料速度400ml/h、鼓风速率0.4m3/min-0.6m3/min;进口温度150℃,出口温度稳定在95℃;2)将喷雾干燥法制备的前驱粉末,在500-550℃,大气气氛下分解2小时获得复合氧化物粉末。3)氢气气氛下进行还原;还原分两步进行,首先在500-600℃保温1-2小时,再将温度升至800-950℃保温1-2小时,获得前驱掺杂钨粉。这种方法简化了前驱粉末制备工艺和避免制备过程中引入杂质元素,可重复性强,工艺简单,便于规模生产,制备出的阴极材料在850℃具有优异的发射性能。
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公开(公告)号:CN101625950A
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200910090708.X
申请日:2009-08-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 含钇的压制型钡钨阴极及其制备方法,属稀土难熔金属阴极材料领域。现有的阴极材料无法满足大功率磁控管的使用要求。阴极中含有稀土氧化物Y 2 O 3 ,Y 2 O 3 占阴极总重量的10-20%wt,BaO、CaO和Al 2 O 3 三者的含量占阴极材料总重量的5-15%wt,其中Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1,其余为钨。具体制备方法:以偏钨酸铵、硝酸钇、三元硝酸盐为原料,柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶,通过氢气气氛下两步还原:第一步还原温度为500-550℃,保温2-4h;第二步为750-950℃,保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-4t/cm 2 下压制,烧结温度为1400-1650℃,保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。测试其次级发射系数明显高于钡钨阴极的次级发射系数,且热发射电流密度可以达到14.54A/cm 2 。
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公开(公告)号:CN103715032A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310745112.5
申请日:2013-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种覆钪酸盐-钨膜的浸渍型钡钨阴极及其制备方法,属于阴极材料技术领域。覆钪酸盐-钨膜的主要成分为Ba3Sc409和金属W,其中Ba3Sc409占膜总质量的5%-20%。在钨海绵体中浸渍发射材料后,利用Ba3Sc4O9和金属W靶材,在阴极表面用脉冲激光沉积的方法制备Ba3Sc4O9-金属W膜。用本发明的阴极含钪酸盐-钨膜制备的阴极,可使阴极的发射电流密度明显升高,提高了阴极的热发射能力。
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公开(公告)号:CN101625950B
公开(公告)日:2011-09-07
申请号:CN200910090708.X
申请日:2009-08-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 含钇的压制型钡钨阴极及其制备方法,属稀土难熔金属阴极材料领域。现有的阴极材料无法满足大功率磁控管的使用要求。阴极中含有稀土氧化物Y2OA3,Y2O3占阴极总重量的10-20%wt,BaO、CaO和Al2O3三者的含量占阴极材料总重量的5-15%wt,其中Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1,其余为钨。具体制备方法:以偏钨酸铵、硝酸钇、三元硝酸盐为原料,柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶,通过氢气气氛下两步还原:第一步还原温度为500-550℃,保温2-4h;第二步为750-950℃,保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-4t/cm2下压制,烧结温度为1400-1650℃,保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。测试其次级发射系数明显高于钡钨阴极的次级发射系数,且热发射电流密度可以达到14.54A/cm2。
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公开(公告)号:CN103715032B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201310745112.5
申请日:2013-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种覆钪酸盐-钨膜的浸渍型钡钨阴极及其制备方法,属于阴极材料技术领域。覆钪酸盐-钨膜的主要成分为Ba3Sc409和金属W,其中Ba3Sc409占膜总质量的5%-20%。在钨海绵体中浸渍发射材料后,利用Ba3Sc4O9和金属W靶材,在阴极表面用脉冲激光沉积的方法制备Ba3Sc4O9-金属W膜。用本发明的阴极含钪酸盐-钨膜制备的阴极,可使阴极的发射电流密度明显升高,提高了阴极的热发射能力。
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公开(公告)号:CN101764006B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN201010033827.4
申请日:2010-01-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种浸渍型钪钨扩散式阴极材料的制备方法属于难熔金属阴极材料技术领域。本发明步骤:1)将偏钨酸铵、硝酸钪分别溶于水形成溶液;然后,将硝酸钪溶液加入偏钨酸铵溶液中混合,混合溶液的浓度为20-40g/L;采用喷雾干燥制备阴极材料前驱粉末,进料速度400ml/h、鼓风速率0.4m3/min-0.6m3/min;进口温度150℃,出口温度稳定在95℃;2)将喷雾干燥法制备的前驱粉末,在500-550℃,大气气氛下分解2小时获得复合氧化物粉末。3)氢气气氛下进行还原;还原分两步进行,首先在500-600℃保温1-2小时,再将温度升至800-950℃保温1-2小时,获得前驱掺杂钨粉。这种方法简化了前驱粉末制备工艺和避免制备过程中引入杂质元素,可重复性强,工艺简单,便于规模生产,制备出的阴极材料在850℃具有优异的发射性能。
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公开(公告)号:CN101628336B
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN200910090710.7
申请日:2009-08-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: B22F3/16
Abstract: 一种含钪扩散阴极的制备方法,属于难熔金属阴极材料技术领域。目前,溶胶-凝胶法制备的压制型扩散阴极一直没有解决前驱粉末制备工艺简化和制备过程中引入杂质元素的问题。导致在制备阴极的过程中工艺繁杂,同时杂质元素的存在会对阴极性能产生不利影响。本发明提供的压制性扩散阴极的方法,将Sc(NO3)3、Ba(NO3)A2、Ca(NO3)2、Al(NO3)3和偏钨酸铵分别溶于水中后混合,采用喷雾干燥法制备出前驱粉末,煅烧后前驱粉末分解,去除其中N元素,将粉末还原后压制成试样,随后在氢气气氛下一次烧结成阴极材料,本发明的可重复性强,工艺简单,便于规模生产,制备出的阴极材料在850℃具有优异的发射性能。电流密度达到39.85A/cm2。
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