一种制备全Co-Sn金属间化合物焊接层/焊点的方法

    公开(公告)号:CN119181651A

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202411303219.9

    申请日:2024-09-18

    Abstract: 一种制备全Co‑Sn金属间化合物焊接层/焊点的方法,属于封装领域。方法:在金属基底制备Co基镀层并在两组Co基镀层之间再制备Sn层形成金属基底/Co基镀层/Sn/Co基镀层/金属基底的结构,后加热至Sn的熔点以上并保温,即可制备出全Co‑Sn金属间化合物焊接层/焊点样品(金属基底/Co基镀层/Co‑Sn金属间化合物/Co基镀层/金属基底)。本发明利用Co原子在液态Sn焊料中快速扩散和Co‑Sn金属间化合物快速生长优势,可在短时间内制备大厚度全Co‑Sn金属间化合物焊接层/焊点并满足低温连接、高温服役的需求,可广泛用于第三代半导体功率芯片的封装以及晶圆凸点键合等先进封装工艺中。

    一种大批量制备三明治结构线性焊点的方法

    公开(公告)号:CN119035993A

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202411290741.8

    申请日:2024-09-13

    Abstract: 一种大批量制备三明治结构线性焊点的方法,材料制备与连接技术领域。先在钎料层两侧的大块Cu基板上分别电镀制备扩散阻挡层,再通过回流焊得到两两对接的含有扩散阻挡层的三明治结构焊点,通过线切割得到大量性能相同的预定尺寸的线性焊点,满足蠕变、时效、拉伸、电迁移加载、电阻率测量、电迁移样品界面层和金属间化合物的表征等测试的样品需求。在金属基板上制备Co或Co‑P镀层以起到扩散阻挡的作用,能有效防止生成大量硬脆的Cu‑Sn金属间化合物,因此Co或Co‑P扩散阻挡层的引入有利于降低焊点的脆硬倾向,提高焊点的力学性能。

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