公开(公告)号：CN108768324A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201711456405.6

申请日：2017-12-28

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 邴兆航 ,  王勇 ,  王宗民 ,  张铁良 ,  王瑛 ,  冯文晓 ,  纪亚飞 ,  杨龙 ,  郭瑞 ,  李雪 ,  宁静怡 ,  李媛红

IPC: H03F3/45 ,  H03F3/68

CPC classification number: H03F3/45932 ,  H03F3/68 ,  H03F2203/45074

Abstract: 应用于输出级为反相器结构的衬底调制共模反馈电路，包括连接第一、二级运放的共模反馈电路、产生衬底调制电压的反馈环路，反馈环路包括第一电荷泵电路、第二电荷泵电路、第一运算放大器、第二运算放大器、电路，电路包括第一场效应管，与第一场相应管相连的第二场相应管，与第二场效应管相连的第三场效应管，两级运算放大器的共模输出由反馈环路产生的输出电压配合连接第一运算放大器、第二运算放大器的共模反馈电路调节，第一运算放大器、第二运算放大器的第二级采用反相器结构。

公开(公告)号：CN117081559A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311026502.7

申请日：2023-08-15

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 贾兰超 ,  初飞 ,  王瑛 ,  彭领 ,  孔瀛 ,  宁静怡 ,  陈俞岐 ,  张雪梓 ,  曲绍贤

IPC: H03K17/687 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明一种具有冷备份功能的低导通电阻高平坦度CMOS开关电路，该CMOS开关电路包括CMOS开关模块、衬底电位控制模块和开关控制模块，该开关电路通过对各模块的电路设计，具有在电源断开后输出为高阻，不存在输入端口对电源、地或后级电路的漏电通路；本发明CMOS开关电路的开关管采用衬底电压跟随输入电压的结构，减小了开关管|VBS|的电压，使开关管阈值电压降低，CMOS开关导通时，通道导通电阻小且导通电阻平坦度高；本发明在CMOS开关的基础上增加断电防护功能，在电源电压断开时，输入电压无到电源、地和输出的通路，不会对系统的其他电路和器件造成损伤，提高了系统的可靠性。

公开(公告)号：CN112701669A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011534002.0

申请日：2020-12-22

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 宁静怡 ,  王瑛 ,  王宗民 ,  周亮 ,  彭领 ,  孔瀛 ,  董海 ,  高鹏 ,  周硕

IPC: H02H9/00 ,  H05F3/02

Abstract: 本发明公开了一种利用公共放电通路提高抗静电网络电荷泄放能力的电路。其特点在于：本专利设计一种新型的ESD网络，针对电路中不适合借助电源通路进行ESD电荷泄放的端口，建立除电源通路外的公共放电通路，利用各通路的ESD保护器件钳位电压的不同，使该类端口电荷泄放借助公共放电通路完成。只需加强公共放电通路的电荷泄放能力，每个端口的电荷泄放能力均得到加强。本专利设计的ESD网络尤其适用于上述端口数量较多的模拟电路，旨在解决该类端口因到电源或地通路电荷泄放压力大导致的ESD能力无法得到保障的难题，同时降低电路成本。

公开(公告)号：CN117097315A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311026504.6

申请日：2023-08-15

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 贾兰超 ,  初飞 ,  王瑛 ,  彭领 ,  胡贵才 ,  宁静怡 ,  陈俞岐 ,  张雪梓

IPC: H03K17/687 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明涉及一种具有冷备份功能的CMOS开关电路，该开关电路包括CMOS开关模块、掉电后电源与电路截止模块、掉电后开关控制模块，CMOS开关采用衬底电压跟随输入电压的设计，减小了衬偏效应，降低阈值电压变化对CMOS开关管导通电阻的影响；本发明的CMOS开关加入了冷备份设计，在电源掉电后，输入信号通过电路与电源、地的通路被截断，实现电源、地的电压为0，提高了系统的可靠性；此外，本发明具有冷备份功能的CMOS开关电路，具有在电源断开后输出为高阻，不存在输入信号通过端口对电源、地或后级电路的漏电通路。

公开(公告)号：CN108768324B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201711456405.6

申请日：2017-12-28

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 邴兆航 ,  王勇 ,  王宗民 ,  张铁良 ,  王瑛 ,  冯文晓 ,  纪亚飞 ,  杨龙 ,  郭瑞 ,  李雪 ,  宁静怡 ,  李媛红

IPC: H03F3/45 ,  H03F3/68

Abstract: 应用于输出级为反相器结构的衬底调制共模反馈电路，包括连接第一、二级运放的共模反馈电路、产生衬底调制电压的反馈环路，反馈环路包括第一电荷泵电路、第二电荷泵电路、第一运算放大器、第二运算放大器、电路，电路包括第一场效应管，与第一场相应管相连的第二场相应管，与第二场效应管相连的第三场效应管，两级运算放大器的共模输出由反馈环路产生的输出电压配合连接第一运算放大器、第二运算放大器的共模反馈电路调节，第一运算放大器、第二运算放大器的第二级采用反相器结构。

公开(公告)号：CN119651488A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411153072.X

申请日：2024-08-21

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 王雷 ,  王瑛 ,  彭领 ,  王煌伟 ,  张翼 ,  孔瀛 ,  宁静怡 ,  胡贵才 ,  胡一凡 ,  张雪梓 ,  贾靳

IPC: H02H3/24 ,  H02H7/20

Abstract: 本发明公开了一种高精度欠压保护电路，包括配置电路和比较电路，配置电路用于捕捉芯片输入与输出电压差值的变化情况，通过设置补偿电流来控制欠压阈值；比较电路用于检测并放大芯片输入与输出电压差值。欠压保护电路通过检测输入电压与输出电压差值，与设置的欠压阈值作比较实现对电路的控制功能，在输入电压与输出电压在正常范围波动时，欠压保护电路输出为低电平；当输入电压与输出电压的差值大于欠压阈值时，认为发生负载过载或输出短接地故障，欠压保护电路输出为高电平，控制电路关断，解决了模拟集成电路在使用的过程中由于欠压造成的电路损坏问题。