公开(公告)号：CN115864809A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202111122412.9

申请日：2021-09-24

Applicant: 北京映翰通网络技术股份有限公司

Inventor： 龙隆 ,  郑毅彬 ,  刘洋

IPC: H02M1/36 ,  H02M1/34 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明公开了一种基于PMOS管的缓启动控制电路，其包括路包括PMOS晶体管1，PMOS晶体管1的漏极连接电源输入端，PMOS晶体管1的源极连接电源输出端；还包括第一电容2、第一电阻3和第二电阻4，第一电容2的第一端连接于供电电源输入端，第二端连接于第二电阻4的第一端，第二电阻4的第二端接地连接；第一电阻3的第一端连接于电源输入端，第二端连接于第一电容2的第二端；还包括第二电容5、第三电阻6、第四电阻7和第五电阻8；第二电容5的第一端连接电源的输出端，第二端连接第五电阻8的第一端，第五电阻8的第二端连接第四电阻7的第一端，第四电阻7的第二端接地连接，第三电阻6的第一端连接PMOS晶体管1的栅极，第二端连接第四电阻7的第一端。

公开(公告)号：CN215580377U

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202122222533.2

申请日：2021-09-14

Applicant: 北京映翰通网络技术股份有限公司

Inventor： 龙隆 ,  郑毅彬 ,  刘洋

IPC: H02H11/00

Abstract: 本实用新型公开了一种基于TTL器件的串口防倒灌电路，其包括第一双极性晶体管(1)、第二双极性晶体管(2)、第三双极性晶体管(3)及第四双极性晶体管(4)，第一双极性晶体管(1)的发射极连接串口芯片侧的RX2通讯端，其集电极连接第三双极性晶体管(3)的集电极；其发射极连接MCU器件侧的RX通讯端；第二双极性晶体管(2)的发射极连接串口芯片侧的TX2通讯端，其集电极连接第四双极性晶体管(4)的集电极；其发射极连接MCU器件侧的TX通讯端；第一双极性晶体管(1)及第二双极性晶体管(2)的基极连接于串口芯片的上电工作电平VD1。第三双极性晶体管(3)及第四双极性晶体管(4)的基极连接于MCU器件的上电工作电平VD2。