公开(公告)号：CN116825846A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310576474.X

申请日：2023-05-21

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 牛喜平 ,  杨霏 ,  魏晓光 ,  桑玲 ,  安运来 ,  张文婷 ,  杨同同 ,  罗伟霞 ,  田琰 ,  刘瑞 ,  杜泽晨 ,  李晨萌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种高可靠性半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基体，基体上间隔设置有第一导电类型阱，相邻两个第一导电类型阱之间设置有JFET区；第一导电类型阱内设有雪崩电荷缓冲区，雪崩电荷缓冲区包括第二导电类型阱源区以及第一导电类型接触区，第一导电类型接触区位于第二导电类型阱源区一侧，第一导电类型接触区的宽度自芯片边缘向芯片中央递增。该高可靠性半导体器件具有较高的抗雪崩能力，而且能够改善碳化硅MOSFET芯片工作状态时内部温度分布不均匀问题，使得器件具有较高的工作稳定性。

公开(公告)号：CN219998228U

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202321233705.9

申请日：2023-05-21

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网北京市电力公司

Inventor： 牛喜平 ,  杨霏 ,  魏晓光 ,  桑玲 ,  安运来 ,  张文婷 ,  杨同同 ,  罗伟霞 ,  田琰 ,  刘瑞 ,  杜泽晨 ,  李晨萌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本实用新型提供了一种高可靠性半导体器件，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基体，基体上间隔设置有第一导电类型阱，相邻两个第一导电类型阱之间设置有JFET区；第一导电类型阱内设有雪崩电荷缓冲区，雪崩电荷缓冲区包括第二导电类型阱源区以及第一导电类型接触区，第一导电类型接触区位于第二导电类型阱源区一侧，第一导电类型接触区的宽度自芯片边缘向芯片中央递增。该高可靠性半导体器件具有较高的抗雪崩能力，而且能够改善碳化硅MOSFET芯片工作状态时内部温度分布不均匀问题，使得器件具有较高的工作稳定性。

公开(公告)号：CN116722028A

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202310177334.5

申请日：2023-02-23

Applicant: 北京智慧能源研究院 ,  国网上海市电力公司

Inventor： 杨同同 ,  杨霏 ,  魏晓光

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/552 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/266

Abstract: 一种碳化硅MOSFET器件结构及制备方法，包括：SiCN++衬底、N型SiC外延层、自适应P+屏蔽区、自适应连接P区、自适应P+注入区、P型基区、P+注入区、源极欧姆接触、N+源区、栅氧化层、自适应连接源极欧姆接触、栅源隔离介质、栅极、源极加厚金属。本发明具有更低的比导通电阻、更低的峰值氧化层电场强度；本发明能够降低器件导通损耗、提升器件栅氧长期可靠性；本发明公开的屏蔽区电压自适应调整的SiC MOSFET结构，既拥有浮空P+屏蔽区MOSFET的低导通电阻，又具有接地P+屏蔽区SiC MOSFET的低氧化层峰值电场强度，在低损耗、高可靠性等方面具有明显的优势。

公开(公告)号：CN115732561A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211460253.8

申请日：2022-11-17

Applicant: 北京智慧能源研究院

Inventor： 杨霏 ,  魏晓光 ,  杜泽晨 ,  桑玲 ,  刘瑞 ,  张文婷 ,  安运来 ,  牛喜平 ,  杨同同 ,  罗伟霞 ,  田琰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅超级结MOSFET器件及其制备方法，该器件包括第一外延柱区和第二外延柱区，第一外延柱区和外延层下表面重合，第二外延柱区和外延层上表面重合，由此实现了在外延层结构的上下表面分别形成了超级结结构，与传统碳化硅MOSFET器件相比，形成的超级结结构的掺杂浓度更高，由器件导通电流和掺杂浓度呈正相关可知，同样厚度下的超级结结构的比导通电阻更低；同时，外延柱区和外延层形成的超级结结构，使得器件在承受反向耐压时在水平方向产生耗尽，电场由原来单一的垂直方向变成了水平和垂直两个方向，加快外延层的耗尽过程，因而保证了器件在提升掺杂浓度的同时拥有更好的耐压能力。