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公开(公告)号：CN113725186B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111288715.8
申请日：2021-11-02
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种芯片焊盘结构、芯片、晶圆及芯片焊盘结构制作方法，属于芯片领域。芯片焊盘结构包括：第一绝缘层，包括沟槽；第一金属层，填充在沟槽中，第一金属层与芯片的内部电路相连接，形成导电通道；第二金属层，形成在第一金属层上，包括芯片与外部器件连接的焊盘区域；第二绝缘层，至少覆盖第二金属层在所述焊盘区域之外的部分以及第一金属层；焊盘区域包括测试焊盘区域和金凸块焊盘区域；金凸块焊盘区域包括多个子焊盘区域。在金凸块焊盘区域上电镀形成的金凸块表面不存在凹坑，同时能够保障金凸块与金凸块焊盘之间的有效接触，降低芯片封装后因为虚焊而导致功能失效的风险。
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公开(公告)号：CN113725186A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111288715.8
申请日：2021-11-02
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种芯片焊盘结构、芯片、晶圆及芯片焊盘结构制作方法，属于芯片领域。芯片焊盘结构包括：第一绝缘层，包括沟槽；第一金属层，填充在沟槽中，第一金属层与芯片的内部电路相连接，形成导电通道；第二金属层，形成在第一金属层上，包括芯片与外部器件连接的焊盘区域；第二绝缘层，至少覆盖第二金属层在所述焊盘区域之外的部分以及第一金属层；焊盘区域包括测试焊盘区域和金凸块焊盘区域；金凸块焊盘区域包括多个子焊盘区域。在金凸块焊盘区域上电镀形成的金凸块表面不存在凹坑，同时能够保障金凸块与金凸块焊盘之间的有效接触，降低芯片封装后因为虚焊而导致功能失效的风险。
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公开(公告)号：CN113363240A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110458966.X
申请日：2021-04-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种芯片金属线及其制作方法、晶圆，属于芯片领域。所述芯片金属线包括第一金属线，所述第一金属线垂直横跨相邻两块芯片之间的划片槽，且所述第一金属线的两个连接端位于同一块芯片内，所述连接端用于连接芯片内的测试电路模块。本申请提供的芯片金属线垂直横跨相邻两块芯片之间的划片槽，保持划片槽内材质组成均匀，使得锯片两面在划片槽内所受的压力一致，不会出现锯片切割歪斜，影响切割质量，同时保证第一金属线被锯片切割开。
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公开(公告)号：CN217468771U
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202122963880.0
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种标签天线，标签天线包括：基板；安装支架，安装支架安装于基板；天线板，天线板安装于安装支架且与基板平行，天线板与基板间连接有金属件；功分器，功分器设于基板且与金属件连接。由此，通过在标签天线上设置天线板，天线板可以提高标签天线的增益、增大标签天线的信号收发距离，与现有技术相比，天线板可以在较低的升级成本下提升标签天线的性能，从而可以提高标签天线的性价比，进而可以提高标签天线的产品竞争力。
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公开(公告)号：CN108267348A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711479741.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IC产品的样品截面的纳米级高精度制备方法，包括如下步骤：S1.将所述IC产品的样品注塑或者粘贴在陪片上，得到待研磨样品，对待研磨样品进行初步观察，并对待测区域进行标记；S2.采用粗砂纸对待研磨样品进行粗磨处理，得到粗磨样品；S3.确认粗磨样品的最终研磨位置和样品状态；S4.若样品状态不符合试验需求，则采用细砂纸对粗磨样品进行精磨处理；S5.对符合试验需求的细磨样品或粗磨样品进行清洗、吹干处理，得到待FIB处理样品；S6.将待FIB处理样品放置于FIB样品室中，调整FIB设备的样品台高度和旋转角度；S7.调整FIB设备的电压和电流参数进行截面精修处理，完成样品截面制备。本发明的制备方法效率高，精度高，截面样品辨识度可达纳米级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117198889A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310786486.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 北京智芯半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种芯片凸点加工方法、封装方法及芯片，属于芯片技术领域。芯片凸点加工方法包括：准备待加工芯片晶圆，并在待加工芯片晶圆上确定多个凸点位置；根据各个凸点位置的需求，将多个凸点位置进行分组，得到多组凸点位置集；根据各个凸点位置的需求，分别对每一组凸点位置集进行凸点加工，得到多个凸点。通过对凸点位置进行分组，然后根据凸点位置的需求，对不同凸点位置分组进行独立曝光、电镀的加工方法，可以控制各类凸点的垂直高度，以保证加工得到的各个凸点的高度在水平面上一致，实现了不同高度凸点的加工。还可以实现特定高度差凸点的加工，以满足不同封装形式对凸点高度的需求，有利于提高封装的良率及可靠性。
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公开(公告)号：CN108761236A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810522093.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R31/00
CPC classification number: G01R31/003
Abstract: 本发明公开了一种RFID标签在高低温条件下的性能测试系统和测试方法。所述性能测试系统包括：热流罩高低温装置，用于对空气进行加热或制冷；热传导装置，通过第一导管与所述热流罩高低温系统相连接，将所述热流罩高低温系统产生的冷热空气进行传输；以及隔热装置，通过第二导管与所述热传导装置相连接，该隔热装置用于容纳所述RFID标签以对其进行高温或低温性能测试。根据本发明的实施方式的RFID标签在高低温条件下的性能测试系统，可以有效评测高低温环境对RFID标签性能的影响，对生产实践有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN108091561A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711375704.7
申请日：2017-12-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
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公开(公告)号：CN107808058A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711089861.1
申请日：2017-11-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种芯片可靠性设计的方法及装置，其中，该方法包括：获取待测器件的电学参数随时间的变化规律，待测器件为待测芯片中的器件；根据变化规律确定相对应的待测器件负荷的边界条件；建立待测器件的状态侦测模型，实时探测待测器件的工作参数；将工作参数与边界条件进行对比，在工作参数超出边界条件相对应的范围时，生成报警信号。该方法可以在芯片设计阶段介入可靠性设计，通过侦测出可靠性薄弱环节，进而改进电路，提高芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN109444547B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201811400959.9
申请日：2018-11-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量方法及装置，RFID芯片阻抗测量方法包括如下步骤：制作二端口微带线电路板，其中，二端口微带线电路板包括直通微带线电路板以及与直通微带线电路板等长度的带被测物的微带线电路板；校准矢量网络分析仪；测试直通微带线电路板的S参数；测试带被测物的微带线电路板的S参数；基于直通微带线电路板的S参数得到针对直通微带线电路板的第一传输矩阵；基于带被测物的微带线电路板的S参数得到针对带被测物的微带线电路板的第二传输矩阵；基于第一传输矩阵以及第二传输矩阵，计算T矩阵；以及基于T矩阵，计算RFID芯片阻抗。本发明的RFID芯片阻抗测量方法的测量结果更精准，且算法相对简单。
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