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公开(公告)号：CN116403951A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111620942.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 国核铀业发展有限责任公司 , 北京核力同创科技有限公司 , 无锡市核力创芯科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/673 , G21F1/08 , G21F3/00 , G21K5/10
Abstract: 本发明适用于电力电子器件生产制造领域，提供了一种单真空舱室晶圆质子辐照装置，实现了辐照过程的自动化。晶圆辐照过程始终是在真空状态下进行，减少了束流损失，确保了束流品质，有利于准确控制晶圆的辐照深度，进而实现芯片局域载流子寿命的准确控制；单真空舱晶圆质子辐照装置整体结构为钢制圆筒结构，晶圆辐照过程中，束流始终处于圆筒内，钢制圆筒可以有效屏蔽残余辐射剂量，有利于减少生产人员受到的辐射伤害，特别适合较低能量的晶圆质子辐照；辐照舱内的二维移动平台，具备X/Y双方向匀速移动功能，可以实现晶圆的均匀辐照，提高辐照质量；阵列式格栅架，容量大，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN115845610A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310132593.6
申请日：2023-02-20
Applicant: 北京核力同创科技有限公司
IPC: B01D59/50
Abstract: 本发明属于同位素分离技术领域，特别涉及钛同位素的分离方法及系统、电子设备及存储介质。本发明提供一种钛同位素的分离方法，所述分离方法包括：将TiCl4引入同位素分离器的离子源内；对离子源进行通电处理，形成电场并引出束流；对束流进行加热处理产生蒸汽；对蒸汽进行电离产生等离子体；对同位素分离器施加电压使得等离子体分离形成电子束；电子束中钛离子在离子源出口处形成离子束。本发明提供了一种钛同位素的分离方法及系统、电子设备及存储介质，保证钛同位素分离，同时提供了整套钛同位素的分离方式。
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公开(公告)号：CN115845609A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310132590.2
申请日：2023-02-20
Applicant: 北京核力同创科技有限公司
IPC: B01D59/50
Abstract: 本发明提供了一种分离锂同位素的方法，其中，所述方法包括：清洗同位素分离器中的离子源和接收器；将脱水后的氯化锂放入离子源的干锅内；将离子源以及接收器装配到同位素分离器中；对同位素分离器中的分离室进行抽真空，以对氯化锂中的锂同位素进行分离。本发明有效地实现了锂同位素的分离。
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公开(公告)号：CN115672027A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211223572.7
申请日：2022-10-08
Applicant: 国核铀业发展有限责任公司 , 北京核力同创科技有限公司
IPC: B01D59/38
Abstract: 本发明提供了一种稳定同位素电磁分离器，所述分离器包括多个分离层以及共用线圈组，其中，所述共用线圈组，用于使多个分离层中产生电磁场；所述分离层，用于在电磁场的作用下，完成稳定同位素的二次分离。本发明提高了稳定同位素的丰度。
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公开(公告)号：CN113993236A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111600159.3
申请日：2021-12-24
Applicant: 国核铀业发展有限责任公司 , 北京核力同创科技有限公司 , 无锡市核力创芯科技有限公司
Abstract: 本发明适用于加热装置领域，提供了一种无液氦超导感应加热装置，所述装置包括无液氮超导机构、驱动机构、低温冷却机构以及固定基座；所述驱动机构带动金属工件在无液氮超导机构形成的磁场中切割磁感线转动；所述无液氮超导机构与直流电源相连，所述直流电源与超导开关并联，所述超导开关的两端与直流电源的两端电性相连。采用无液氦超导技术直接将超导线圈冷却到超导态，通过励磁达到指定磁场后，通过超导开关将超导线圈的电流闭环，形成稳定并且高场强的闭合磁场。采用无液氦超导磁体技术，解决氦资源短缺问题，并且超导开关使得整个装置可以实现闭环运行模式，防止电网干扰。通过提高磁场强度，降低金属工件的转速，使得整体装置易维护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116116217B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202211600765.X
申请日：2022-12-13
Applicant: 北京核力同创科技有限公司
IPC: B01D59/48
Abstract: 本发明提供了一种同位素电磁分离器的磁场垫补方法，其中，所述方法包括：根据同位素分离参数，计算磁场的分布，其中，所述磁场用于分离同位素；根据计算得到的磁场的分布结果，在同位素电磁分离器的分离室内设置垫补板；使所述垫补板安装位置发生变形，并对所述分离室的内部磁场进行测量；根据测量的结果，对垫补板是否合格进行判断，其中，若不合格，则根据计算得到的磁场的分布结果，重新在同位素电磁分离器内的分离室内设置垫补板，直至合格。本发明有效地实现了同位素电磁分离器的磁场垫补。
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公开(公告)号：CN116392966A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111630394.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 国核铀业发展有限责任公司 , 北京核力同创科技有限公司
IPC: B01D59/48
Abstract: 本发明公开一种稳定同位素电磁分离器的磁铁结构及其装配方法，其中磁铁结构包括：上磁轭和下磁轭，上磁轭和下磁轭之间设置有第一柱体、第二柱体，第二柱体平行于所述第一柱体；其中，第一柱体、第二柱体均包括多个从上往下设置的磁极，多个磁极外侧均设置有线圈，多个相邻磁极形成多个磁铁空气区，多个磁铁空气区用于放置多个分离室；磁铁结构产生的磁场使得第一柱体、第二柱体内各个分离室的磁场方向相反，各个分离室内的磁感应强度相同。本发明的磁铁结构产生的磁场呈环形分布，充分考虑一器多室结构的磁场对称性，充分利用磁场，并使得电磁分离器的能耗低、重量轻、占地面积小。
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公开(公告)号：CN113903490B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111509361.5
申请日：2021-12-10
Applicant: 国核铀业发展有限责任公司 , 北京核力同创科技有限公司 , 无锡市核力创芯科技有限公司
IPC: G21K5/00 , H01L21/263
Abstract: 本发明提供一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法，所述双真空舱室晶圆质子辐照装置包括：晶圆辐照真空舱和换片真空舱，所述晶圆辐照真空舱和换片真空舱通过连接真空段连通；所述连接真空段外设有屏蔽墙；所述晶圆辐照真空舱设置于辐照厅，所述换片真空舱设置于辐照前厅，所述屏蔽墙把所述辐照厅和辐照前厅密封隔离开。所述辐照装置非常适合于高能质子辐照，有利于大幅减轻工作人员所受到的射线伤害，可以实现晶圆的均匀化辐照，提高辐照质量，容量大，提高生产效率，保证了晶圆托盘平稳传输，有效到位，不会对大气造成活化，有助于从两个方面提高辐照精度能够实现高性能IGBT芯片的生产和软度因子大于2的快软恢复快软恢复二极管的制造。
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公开(公告)号：CN113903490A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111509361.5
申请日：2021-12-10
Applicant: 国核铀业发展有限责任公司 , 北京核力同创科技有限公司 , 无锡市核力创芯科技有限公司
IPC: G21K5/00 , H01L21/263
Abstract: 本发明提供一种双真空舱室晶圆质子辐照装置及辐照方法，所述双真空舱室晶圆质子辐照装置包括：晶圆辐照真空舱和换片真空舱，所述晶圆辐照真空舱和换片真空舱通过连接真空段连通；所述连接真空段外设有屏蔽墙；所述晶圆辐照真空舱设置于辐照厅，所述换片真空舱设置于辐照前厅，所述屏蔽墙把所述辐照厅和辐照前厅密封隔离开。所述辐照装置非常适合于高能质子辐照，有利于大幅减轻工作人员所受到的射线伤害，可以实现晶圆的均匀化辐照，提高辐照质量，容量大，提高生产效率，保证了晶圆托盘平稳传输，有效到位，不会对大气造成活化，有助于从两个方面提高辐照精度能够实现高性能IGBT芯片的生产和软度因子大于2的快软恢复快软恢复二极管的制造。
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公开(公告)号：CN116403952A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111624271.0
申请日：2021-12-28
Applicant: 国核铀业发展有限责任公司 , 北京核力同创科技有限公司 , 无锡市核力创芯科技有限公司
IPC: H01L21/677 , G21K5/10
Abstract: 本发明适用于电力电子器件生产制作领域，提供了一种连续晶圆质子辐照装置及操作方法，所述装置包括两个料仓、辐照机构、上料机构以及移动机构，所述料仓设置于辐照机构的两侧，所述上料机构将放置于料仓内的料盘从料仓中取出转移至移动机构，移动机构将料盘转运至辐照机构的照射范围，辐照机构对料盘进行照射；两个所述料仓中的料盘交替不断的被上料机构向移动机构输送。通过双料仓设计，重在实现批量连续性晶圆质子辐照，单批次最大可实现超过2000片晶圆质子连续辐照，集成了批量连续化生产、换片装载、辐照均匀性控制等质子辐照关键环节，有效地提高辐照生产效率，从而有更好的经济效益，提升核心竞争力。
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