一种发黄光的低温共烧陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102320822B

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201110235491.4

    申请日:2011-08-16

    Abstract: 本发明涉及一种用Sol-Gel合成的钙硼硅系发黄光的低温共烧陶瓷材料及其制备方法,其中掺杂的激活剂为Ce3+、Tb3+的一种或两种。该材料的各组分的摩尔百分比为15~20%的CaO、60~70%的SiO2、10~25%的B2O3、1~9%的激活剂离子和1~9%的电荷补偿剂离子。本发明具有以下优点:发光强度好,在460nm~490nm波长的蓝光激发下可以发出541nm左右的黄光。该材料制成的LTCC基板可在发光芯片的激发下发光,预计可应用在LED灯的制作中,可简化制作工艺。故可应用于白光LED、LTCC基板材料、微电子封装材料领域。烧结温度低且范围宽,烧结收缩率可控。介电常数在3~7(1MHz)之间可调,介电损耗在0.002以下。机械强度高,热性能良好。

    一种发黄光的低温共烧陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102320822A

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201110235491.4

    申请日:2011-08-16

    Abstract: 本发明涉及一种用Sol-Gel合成的钙硼硅系发黄光的低温共烧陶瓷材料及其制备方法,其中掺杂的激活剂为Ce3+、Tb3+的一种或两种。该材料的各组分的摩尔百分比为15~20%的CaO、60~70%的SiO2、10~25%的B2O3、1~9%的激活剂离子和1~9%的电荷补偿剂离子。本发明具有以下优点:发光强度好,在460nm~490nm波长的蓝光激发下可以发出541nm左右的黄光。该材料制成的LTCC基板可在发光芯片的激发下发光,预计可应用在LED灯的制作中,可简化制作工艺。故可应用于白光LED、LTCC基板材料、微电子封装材料领域。烧结温度低且范围宽,烧结收缩率可控。介电常数在3~7(1MHz)之间可调,介电损耗在0.002以下。机械强度高,热性能良好。

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