公开(公告)号：CN102651279A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210153626.7

申请日：2012-05-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 党智敏 ,  孟兴 ,  查俊伟 ,  周涛

IPC: H01G4/38 ,  H01G4/14

Abstract: 本发明属于新材料技术与器件设计领域，特别涉及高储能聚合物纳米管电容器阵列的制备方法，该方法的模板选用的是多孔氧化铝（AAO）薄膜，可以根据需要通过选择不同规格模板来制备不同尺寸的聚合物纳米管阵列，从而调整并联微电容的数量；电介质可以是聚偏氟乙烯、聚苯乙烯等不同介电常数的聚合物；聚合物管的不同形成工艺可以制备不同的纳米储能电容。本发明的有益效果是：本发明通过模板法制备本管状纳米结构，可以实现纳米级电容储能、纳米管阵列形状可调且制备工艺简单。

公开(公告)号：CN102651279B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201210153626.7

申请日：2012-05-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 党智敏 ,  孟兴 ,  查俊伟 ,  周涛

IPC: H01G4/38 ,  H01G4/14

Abstract: 本发明属于新材料技术与器件设计领域，特别涉及高储能聚合物纳米管电容器阵列的制备方法，该方法的模板选用的是多孔氧化铝（AAO）薄膜，可以根据需要通过选择不同规格模板来制备不同尺寸的聚合物纳米管阵列，从而调整并联微电容的数量；电介质可以是聚偏氟乙烯、聚苯乙烯等不同介电常数的聚合物；聚合物管的不同形成工艺可以制备不同的纳米储能电容。本发明的有益效果是：本发明通过模板法制备本管状纳米结构，可以实现纳米级电容储能、纳米管阵列形状可调且制备工艺简单。