一种基于柔性力学传感器的可穿戴动作捕捉方法及系统

    公开(公告)号:CN119564198A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411852952.6

    申请日:2024-12-16

    Abstract: 本发明提供一种基于柔性力学传感器的可穿戴动作捕捉方法及系统,涉及动作捕捉技术领域。所述一种基于柔性力学传感器的可穿戴动作捕捉方法由柔性力学传感器、信号采集与无线传输单元以及智能分析与交互单元实现;该方法包括:柔性力学传感器实时监测个体关节运动信号,将运动信号传输至信号采集与无线传输单元,获得柔性力学传感器的监测数据;将监测数据传输至智能分析与交互单元中,通过对关节运动幅度以及运动方向进行标定,建立个体运动信号与运动幅度以及运动方向的对应关系,获得标定结果;根据标定结果,利用计算机技术,实现对个体三维运动建模和姿态还原。采用本发明可提高对个体局部运动精细捕捉能力,可提高可穿戴性,增强抗干扰能力。

    石墨烯铜复合材料的界面调控方法

    公开(公告)号:CN119502529A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411652266.4

    申请日:2024-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯铜复合材料的界面调控方法,涉及金属基复合材料制备的技术领域,本发明旨在解决如何改善石墨烯与铜之间的电子交换弱的问题,本发明包括以下步骤:S1:原材料选择;选择市售的Gr/Cu/Gr箔片作为基体,选择高纯度的金属颗粒作为蒸镀靶材;S2:沉积金属;利用真空热蒸发镀膜工艺在所述基体的双面沉积不同厚度的异质金属层,得到被异质金属层包裹的所述基体;S3:沉积金属预处理;对步骤S2所得到的所述基体进行热退火处理,得到结晶度高的异质金属镀层;S4:将多张经过步骤S3处理的所述基体堆叠起来,构建利于导电的界面结构,再通过真空热压成型工艺,制备得到高导电的石墨烯铜块材料。

    基于MXene墨水喷墨打印的突触晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN119451524A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411521799.9

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于MXene墨水喷墨打印的突触晶体管及其制备方法,涉及印刷仿生电子器件的技术领域,本发明旨在解决现有器件性能下降、高材料成本和高毒性的问题,本发明包括有以下步骤:选择衬底,并对所述衬底进行清洗;利用光刻工艺对所述衬底上的栅极、源极以及漏极进行图案化处理;在所述衬底上沉积出栅极、源极以及漏极;将MAX相材料通过湿化学刻蚀结合机械剥离得到少层MXene;通过液相级联离心法得到一定片径尺寸分布的MXene分散液;制备MXene墨水;对衬底的表面进行亲水处理,设置打印参数,将所述MXene墨水在沟道位置打印MXene薄膜;配制电解质溶液,在MXene沟道层、栅极和暴露的衬底上滴铸介质层,所述介质层覆盖沟道层并连接栅极,构筑MXene突触晶体管。

    共价官能化的MXene人工突触及其制备方法

    公开(公告)号:CN119451367A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411521532.X

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本发明公开了一种共价官能化的MXene人工突触及其制备方法,涉及人工智能的技术领域,本发明旨在解决如何丰富类脑神经芯片的整体特性,推动人工智能技术的问题,本发明包括包括有以下步骤:选择衬底;利用光刻工艺在所述衬底上对栅极、源极以及漏极进行图案化处理,在利用电子束蒸发沉积金属层并剥离得到金属电极图案;利用光刻工艺在衬底上对沟道区域进行图案化处理;将MAX相材料通过原位酸刻蚀结合机械剥离得到少层T i3C2TX MXene;通过涂层工艺在所述衬底上形成均匀的T i3C2TX MXene薄膜,并通过剥离得到沟道区域图案;制备碘鎓盐溶液,制备好的器件浸入到碘鎓盐溶液中使其完成共价官能化;配制电解质溶液,在T i3C2TX MXene沟道层、栅极和暴露的所述衬底上滴铸电解质。

    多模态生理信号传感器、制备方法以及应用

    公开(公告)号:CN119366927A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411511835.3

    申请日:2024-10-28

    Abstract: 本发明公开了一种多模态生理信号传感器、制备方法及其应用,涉及柔性传感器的技术领域,本发明旨在解决开发新型的多模态生理信号传感器的问题,本发明包括有上封装层、力学传感层、下封装层以及电生理传感层;包括以下步骤:将液态的封装层滴加在目标基底上,然后旋涂获得未固化的封装层薄膜;将力学传感层平整的放置在未固化的封装层薄膜上;将制得的器件在一定温度下真空固化;在固化后的力学传感层表面再次滴加液态封装层,旋涂成未固化的封装层薄膜;将电生理传感层平整的放置到旋涂成的未固化的封装层薄膜上;将制得的器件在一定温度下真空固化;将固化后的器件从目标基底上揭下,即可获得多模态生理信号传感器。

    二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件

    公开(公告)号:CN117241661B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311489374.X

    申请日:2023-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件,涉及二维MXene薄膜的技术领域,本发明旨在解决类脑半导体器件中二维MXene薄膜存在离子容量小,电学性能难以调控的问题。本发明中将氧族元素端基取代原本MXene材料表面的卤族元素端基,使得到的二维MXene薄膜具有均匀的氧族元素端基,从而解决相关问题。

    MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117238580B

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311515648.8

    申请日:2023-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法,涉及铜基导电复材的技术领域,本发明旨在提出一种新的制备方法,解决液相电沉积法造成MXene材料受损的问题。本发明包括以下步骤:S1、在铜箔的两面制备Ti薄膜,得到Ti/Cu/Ti材料;S2、将所述Ti/Cu/Ti材料置于放入CVD炉,在第一混合气流下加热至600‑1000℃;随后切断第一混合气流,同时引入第二混合气流,保持预定时间后得到MXene/Cu/MXene材料;S3、将若干片所述MXene/Cu/MXene材料层叠放入热压炉模具中,经真空热压后得到最终产物MXene/铜层状复合导电材料。

    MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117238580A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311515648.8

    申请日:2023-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种MXene/铜层状复合导电材料及其制备方法,涉及铜基导电复材的技术领域,本发明旨在提出一种新的制备方法,解决液相电沉积法造成MXene材料受损的问题。本发明包括以下步骤:S1、在铜箔的两面制备Ti薄膜,得到Ti/Cu/Ti材料;S2、将所述Ti/Cu/Ti材料置于放入CVD炉,在第一混合气流下加热至600‑1000℃;随后切断第一混合气流,同时引入第二混合气流,保持预定时间后得到MXene/Cu/MXene材料;S3、将若干片所述MXene/Cu/MXene材料层叠放入热压炉模具中,经真空热压后得到最终产物MXene/铜层状复合导电材料。

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