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公开(公告)号：CN108040435B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201711322006.0
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法。所述的氮化铝陶瓷基板为活性钎焊陶瓷基板，所述的刻蚀分两步进行，第一步刻蚀合金钎料层，第二步刻蚀钎料和陶瓷的的界面反应层。第一步刻蚀液由硝酸和过氧化氢组成，所述硝酸和过氧化氢的体积比为0.3‑2：0.8‑1.5，所述的硝酸的质量浓度为65％‑70％，所述的过氧化氢的质量浓度为20％‑40％。第二步刻蚀液由硫酸和过氧化氢和水组成，所述的硫酸和过氧化氢的体积比为0.5‑2：0.3‑1.5：0.1，所述的硫酸的质量浓度是98％，所述的过氧化氢的质量浓度为20％‑40％。本发明采用新配方的刻蚀溶液，可以对活性钎焊散热基板的钎焊层和界面反应层进行选择性的去除，刻蚀速率较快，实现了陶瓷基板的高精度高效刻蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108520855B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201810445499.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公一种纳米银浆提高陶瓷覆铜板可靠性的方法，包括以下步骤：（1）将陶瓷基片进行清洗（2）依次在陶瓷上下表面采用真空磁控溅射或离子镀Ti、Zr、Hf或Cr金属层，Cu金属层，并化学镀银；（3）在沉积了金属层的陶瓷基板两侧涂覆纳米银焊膏层，和化学镀银铜箔装卡后在真空炉中进行烧结。由于采用上述技术方案，本发明方法利用纳米银浆使陶瓷基板实现厚铜连接，银粉粒度达到纳米级别，其表面效应会使纳米银浆的熔点远低于与银块体材料。与现有Ag‑Cu合金真空钎焊工艺相比，本发明可实现低温下烧结后，可以在低于银的熔点以下高温使用，烧结后形成的微孔结构对缓解陶瓷基板由于热胀系数不匹配造成的热应力有重要作用。
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公开(公告)号：CN108040435A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711322006.0
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板线路刻蚀方法。所述的氮化铝陶瓷基板为活性钎焊陶瓷基板，所述的刻蚀分两步进行，第一步刻蚀合金钎料层，第二步刻蚀钎料和陶瓷的界面反应层。第一步刻蚀液由硝酸和过氧化氢组成，所述硝酸和过氧化氢的体积比为0.3‑2：0.8‑1.5，所述的硝酸的质量浓度为65％‑70％，所述的过氧化氢的质量浓度为20％‑40％。第二步刻蚀液由硫酸和过氧化氢和水组成，所述的硫酸和过氧化氢的体积比为0.5‑2：0.3‑1.5：0.1，所述的硫酸的质量浓度是98％，所述的过氧化氢的质量浓度为20％‑40％。本发明采用新配方的刻蚀溶液，可以对活性钎焊散热基板的钎焊层和界面反应层进行选择性的去除，刻蚀速率较快，实现了陶瓷基板的高精度高效刻蚀。
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公开(公告)号：CN108033810A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711318747.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷覆铜板的制备方法，属于覆铜基板制造技术领域。本发明在陶瓷基板的上下两个表面分别进行双层预金属化和钎焊，解决了现有的陶瓷覆铜板焊接强度低，界面应力大，使用可靠性低的问题。具体步骤为：(1)将氮化铝陶瓷进行清洗，然后采用真空磁控溅射或离子镀的方法对陶瓷表面进行离子轰击；(2)依次在陶瓷上下表面真空磁控溅射或离子镀沉积Ti、Zr、Hf或Cr金属层，Cu金属层；(3)在沉积了金属层的陶瓷基板两侧涂覆金属焊膏，装卡后在真空钎焊炉中进行高温焊接。本发明可以实现氮化铝陶瓷基板厚铜连接，工艺简单，并提高了氮化铝陶瓷厚铜金属化的效果，与直接钎焊相比界面应力更低。
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公开(公告)号：CN111006577A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911303546.3
申请日：2019-12-17
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明提供了一种变温过程中陶瓷基板热应变的测量系统及方法，涉及陶瓷基板技术领域，能够实时反映变温过程中陶瓷基板表面不同部位的热应变情况，操作简便，测量精度高；该系统包括陶瓷基板，设于冷热循环装置内，在冷热循环装置的变温过程中产生应变；应变片，设于陶瓷基板表面，用于感知陶瓷基板的应变；应变仪，与应变片连接，用于采集应变片感知到的应变数据；数据处理单元，用于对应变仪采集的应变数据进行分析和处理；温度传感器，用于采集陶瓷基板表面的温度，并传输给温度记录仪；以及温度记录仪，与温度传感器连接，用于记录和保存温度传感器测量的温度数据。本发明提供的技术方案适用于陶瓷表面应变测量的过程中。
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公开(公告)号：CN108520855A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810445499.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公一种纳米银浆提高陶瓷覆铜板可靠性的方法，包括以下步骤：（1）将陶瓷基片进行清洗（2）依次在陶瓷上下表面采用真空磁控溅射或离子镀Ti、Zr、Hf或Cr金属层，Cu金属层，并化学镀银；（3）在沉积了金属层的陶瓷基板两侧涂覆纳米银焊膏层，和化学镀银铜箔装卡后在真空炉中进行烧结。由于采用上述技术方案，本发明方法利用纳米银浆使陶瓷基板实现厚铜连接，银粉粒度达到纳米级别，其表面效应会使纳米银浆的熔点远低于与银块体材料。与现有Ag-Cu合金真空钎焊工艺相比，本发明可实现低温下烧结后，可以在低于银的熔点以下高温使用，烧结后形成的微孔结构对缓解陶瓷基板由于热胀系数不匹配造成的热应力有重要作用。
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