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公开(公告)号：CN115602749A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211264826.X
申请日：2022-10-17
Applicant: 北京索通新动能科技有限公司(CN) , 清华大学(CN)
Abstract: 本发明公开了一种超材料基太赫兹光电转换器件的制备方法。所述太赫兹光电转换器件至少包含一个超材料单元，所述超材料单元由电磁谐振结构和载流子结构组成。本发明以硅或锗作为衬底，通过多次光刻制备所需结构的掩膜，在掩膜作用下，通过掺杂、溅射等方式形成载流子结构、欧姆接触、电磁谐振结构和电极，最后通过金线键合封装成器件。根据实验测试，所制备的器件欧姆接触良好。本发明提供的制备方法简单，且与现有常规半导体微纳加工工艺兼容，可以提供一种具有高设计自由度、超快转换速度、较宽适用频率范围的新型太赫兹光电转换器件。
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