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公开(公告)号：CN105810846B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201410846786.9
申请日：2014-12-31
Applicant: 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件，其包括发光层，所述发光层的主体材料包含热活化延迟荧光材料中的一种，所述主体材料中掺杂染料，所述染料包含至少一种磷光染料。本发明选择热活化延迟荧光材料，该类材料的三线态能级与单线态能级差（ΔEST）较小。采用该类材料作为磷光主体，则部分三线态激子能级传递到单线态激子，整体三线态激子的数量较少。从而三线态激子浓度降低复合区域变窄。有效降低了激子进入电荷传输层的几率，同时复合区域变窄有效防止了N型掺杂剂向激子复合区域的扩散。同时采用该类主体材料，器件对应较低的工作电压。
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公开(公告)号：CN106206958B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201510214997.5
申请日：2015-04-30
Applicant: 北京维信诺科技有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种白光有机电致发光器件，包括发光层，该发光层由多层互补色的单色发光层层叠组合而成，其中至少一单色发光层的主体材料为热活化延迟荧光材料，各单色发光层的主体材料中掺杂磷光染料或荧光染料。本发明将热活化延迟荧光材料采用引入白光器件的制备，该类材料内量子效率超过25%，具有高效率的特点。同时因为不含贵金属材料，材料的成本也较低。
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![一种6，6‑双取代‑6‑H‑苯并[cd]芘衍生物、中间体及制备方法和应用](/CN/2013/1/50/images/201310250838.jpg)
公开(公告)号：CN103508940B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201310250838.1
申请日：2013-06-21
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC: C07D213/06 , C07D215/04 , C07D217/02 , C07D235/18 , C07D277/66 , C07D271/107 , C07C25/22 , C07C17/093 , C07C17/16 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一类如式（1）所示的化合物，其中：当R5、R6同时为H时，R7、R8分别独立地选自C5‑C30的含氮杂环、取代氮杂环或者稠含氮杂环芳烃，且R1、R2分别独立地选自具有C1‑C30的直链或支链烃基，C6‑C30的取代或未取代的苯环，或者稠环芳烃；或者R1、R2通过其他基团连接形成环状化合物；或者，当R7、R8同时为H时，R5、R6分别独立地选自C5‑C30的含氮杂环、取代氮杂环或者稠含氮杂环芳烃，且R1、R2分别独立地选自具有C1‑C30的直链或支链烃基，C6‑C30的取代或未取代的苯环，或者稠环芳烃；或者R1、R2通过其他基团连接形成环状化合物。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用，尤其是作为OLED器件中的电子传输材料、荧光或者红色磷光主体材料。
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公开(公告)号：CN103887393B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410081143.X
申请日：2014-03-06
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
Abstract: 本发明所述的发光晶体管及发光显示装置，其至少包括基底、漏电极、源电极、半导体层、栅极绝缘层和与栅极绝缘层相连的栅极层，栅极绝缘层中包括可极化并且可发光的材料，优选为发光离子型配合物。该晶体管通过栅极与源极之间的电压，在栅极绝缘层与半导体层界面处感应出载流子，在源/漏电极层中的漏极和源极之间产生导电沟道的同时，形成通过栅极绝缘层的电流并使栅极绝缘层发光。该发光晶体管改变了传统发光晶体管工作电压高、结构复杂或者只有线发光的缺点，通过栅绝缘层发光实现了晶体管的低工作电压和面发光。
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公开(公告)号：CN103665048B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210536230.0
申请日：2012-12-12
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型的金属配合物及其在有机发光器件中的应用，该用作近红外发光的金属铱配合物结构通式为LnIrX(3-n)，其中X选自乙酰丙酮、二苯甲酰基甲烷、二叔戊酰甲烷或吡啶甲酸，n选自1、2或3，L选自以下结构式L1、L2或L3，其中R1—R9分别独立地选自氢原子、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为1-10的烷基氨基、咔唑基、氟原子、三氟甲基和碳原子数为5-18的芳香基团；Ar表示碳原子数为5-18的芳基、碳原子数为5-18的杂环芳基。本发明的金属配合物具有发光寿命短，发光效率高的优点，使用该发光材料制备的有机发光器件，具有大电流密度下高发光效率的特性。结构式L1、结构式L2、结构式L3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102456850B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110293711.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种OLED分划板的制作方法，其包括如下步骤：在基板上蒸镀OLED的阳极层，将阳极层形成为瞄准标记的形状；在所述OLED的阳极层上依次蒸镀有机功能层、发光层和阴极层。本发明还提供一种OLED分划板，其包括OLED，所述OLED包括基板和依次层叠在基板上的阳极层、有机功能层、发光层和阴极层，所述OLED的阳极层具有瞄准标记的形状。另外，本发明还提供一种使用本发明的OLED分划板的反射式瞄准镜。利用本发明，可以使反射式瞄准镜中分划板和照明光学系统所占的空间大大减少。
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公开(公告)号：CN103570629B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201210264285.0
申请日：2012-07-27
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC: C07D239/26 , C07D403/14 , C07D239/42 , C07D241/12 , C07D241/20 , C07D251/24 , C07D251/22 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明提供了一种新型化合物，其结构用式(I)表示。其中R1至R5分别独立选自C1～C20的脂肪族烷基或C6～C20的芳香族基团；Ar选自C4～C30的芳环、C4～C30的含N杂环、C4～C30的稠合杂环芳烃、C4～C30的芳氨基或C4～C30的芳氧基；n为1或2；A1至A4为N原子或C原子；当A1、A3同时为N原子时，A2和A4为C原子；或者，当A1、A4同时为N原子时，A2和A3为C原子；或者，当A2、A4同时为N原子时，A1和A3为C原子；或者，当A3、A4同时为N原子时，A1和A2为C原子；或者，A1、A3、A4同时为N原子时，A2为C原子；L为单键或C6～C10的芳环或C4～C10的含N杂环。该类化合物在有机电致发光器件中用作电子传输层材料或发光主体材料。
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公开(公告)号：CN103022077B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210504990.3
申请日：2012-11-30
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 本发明属于OLED装置领域，涉及一种控制元件由包含氧化锌锡的薄膜晶体管组成的OLED装置。本发明所述的薄膜晶体管的氧化锌锡薄膜的制备方法，包括将含有锌离子的前驱体材料、含有锡离子的前驱体材料以及助溶剂溶解于溶剂中，充分溶解，得到前驱体溶液；并将前驱体溶液在待涂布面上涂布成薄膜后进行热处理程序等步骤。本发明所述的方法制备得到的氧化锌锡薄膜可以使薄膜晶体管获得较大的载流子迁移率，含有该氧化物薄膜晶体管的OLED装置的发光性能极好。
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公开(公告)号：CN103183693B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110460055.7
申请日：2011-12-31
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种式(I)的硼杂苯并芘衍生物，其中R1、R2、R3、m、n和q具有说明书中所述的含义。本发明还涉及式(I)的硼杂苯并芘衍生物的制备方法、包含所述物质的有机电致发光材料和有机电致发光器件以及所述物质在有机电致发光照明及显示技术领域中的用途。
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公开(公告)号：CN103022376B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210517302.7
申请日：2012-12-06
Applicant: 昆山维信诺显示技术有限公司 , 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种OLED器件，包括基板以及依次设置在所述基板上的阳极、有机层和阴极，所述阴极为透明复合阴极，包括透明金属层和设置在所述金属层上的增透层，所述增透层材料选自茚並芴衍生物或并二芴衍生物。所述增透层所选用的材料能隙大，避免了材料本身对出射光的吸收，具有极佳的透光性；而且含有N、S等杂原子，能够提供较大的折射率，有利于光通过金属层射出，提高OLED器件的发光效率，改善器件的视角特性。在所述透明复合阴极中，由于低功函数金属含量适度，可以有效降低阴极的功函数，具有较好的电子注入效率，并大量吸收可见光，使得所述的OLED器件具有很高的透光效率和色纯度。
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