一种基于多重镜像法的大均匀区双平面线圈设计方法

    公开(公告)号:CN115329653A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202211017095.9

    申请日:2022-08-23

    Abstract: 本发明提供了一种基于多重镜像法的大均匀区双平面线圈设计方法,涉及磁屏蔽补偿技术领域,本方法包括步骤S1:通过高磁导率材料的无限大的表面反射磁源和磁性材料,将磁屏蔽箱的屏蔽层看作无限大的平面,产生镜像电流,镜像电流被其他屏蔽层反复镜像;S2:建立实际电流与镜像电流的关系;S3:基于双平面的电流在Q点处从空气中进入到屏蔽层中并发生折射,折射角为45°,电流在屏蔽层内W点处发生反射,在G点处从屏蔽层中进入到空气中,折射角为θ,R点是电流经屏蔽层的反射后的位置点。本方法能够在保证磁屏蔽室空间利用率的前提下,提高线圈的均匀度和均匀度,从而实现降低磁屏蔽室研制成本和重量。

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