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公开(公告)号：CN108927019B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201710374911.4
申请日：2017-05-24
Applicant: 北京赛特超润界面科技有限公司
Abstract: 本发明涉及离子通道薄膜领域，具体地，涉及一种嵌段共聚物膜与功能性孔膜杂化的盐差发电膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1)用牺牲层堵住功能性孔膜的孔道；2)将嵌段共聚物溶解于溶剂中，制得溶液；3)将制得的溶液置于预处理后的功能性孔膜上，使嵌段共聚物在预处理的功能性孔膜上成膜；4)使用选择性溶剂溶解牺牲层；5)在步骤2)所述溶剂的饱和气氛中退火，使嵌段聚合物的孔道垂直贯通。本发明通过控制大孔基底的结构，组成以及厚度，结合溶剂退火操作，提供的复合盐差发电膜的能源密度可以从0.12瓦特每平方米提高到0.7瓦每平方米以上。本发明的方法操作简便、易于控制、所需设备简单、能够大规模生产，有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108948387B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201710378197.6
申请日：2017-05-24
Applicant: 北京赛特超润界面科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种离子选择性的纳米通道膜及其制备方法，所述纳米通道膜包括结合在一起两层膜，一层为嵌段共聚物1膜，另一层为嵌段共聚物2膜；所述纳米通道膜的厚度为亚微米级别，其具有规则的纳米级通道分布和高的孔隙率，通道直径在25纳米以下，并且两层膜有着不同的表面电荷分布。本发明的膜具有超高离子通量，超强离子选择性，该膜有着亚微米级别的厚度，表现出了很好的渗透能量转换性能。
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公开(公告)号：CN108927019A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710374911.4
申请日：2017-05-24
Applicant: 北京赛特超润界面科技有限公司
Abstract: 本发明涉及离子通道薄膜领域，具体地，涉及一种嵌段共聚物膜与功能性孔膜杂化的盐差发电膜的制备方法。本发明包括以下步骤：1)用牺牲层堵住功能性孔膜的孔道；2)将嵌段共聚物溶解于溶剂中，制得溶液；3)将制得的溶液置于预处理后的功能性孔膜上，使嵌段共聚物在预处理的功能性孔膜上成膜；4)使用选择性溶剂溶解牺牲层；5)在步骤2)所述溶剂的饱和气氛中退火，使嵌段聚合物的孔道垂直贯通。本发明通过控制大孔基底的结构，组成以及厚度，结合溶剂退火操作，提供的复合盐差发电膜的能源密度可以从0.12瓦特每平方米提高到0.7瓦每平方米以上。本发明的方法操作简便、易于控制、所需设备简单、能够大规模生产，有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108948387A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710378197.6
申请日：2017-05-24
Applicant: 北京赛特超润界面科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种离子选择性的纳米通道膜及其制备方法，所述纳米通道膜包括结合在一起两层膜，一层为嵌段共聚物1膜，另一层为嵌段共聚物2膜；所述纳米通道膜的厚度为亚微米级别，其具有规则的纳米级通道分布和高的孔隙率，通道直径在25纳米以下，并且两层膜有着不同的表面电荷分布。本发明的膜具有超高离子通量，超强离子选择性，该膜有着亚微米级别的厚度，表现出了很好的渗透能量转换性能。
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