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公开(公告)号：CN113725570B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202111046924.1
申请日：2021-09-07
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种高选择性电可重构SIW带通滤波器及其制备方法，其包括：SIW腔体；梳状谐振腔，在所述SIW腔体上表面至少设置两个，并耦合连接；馈电面，设置在所述SIW腔体外部，经高阻抗微电线与所述梳状谐振腔连接；所述高阻抗微电线设置在所述SIW腔体上表面开设的缝隙中，作为偏置线；偏置电路，设置在所述高阻抗微电线与所述梳状谐振腔连接处；“缝合”电容，跨接在具有高磁场强度的所述缝隙与所述高阻抗微电线之间，避免由于所述缝隙破坏所述SIW腔体上表面完整性而造成对所述滤波器性能的影响。本发明能提高可重构滤波器的通带选择性。
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公开(公告)号：CN113725570A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111046924.1
申请日：2021-09-07
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种高选择性电可重构SIW带通滤波器及其制备方法，其包括：SIW腔体；梳状谐振腔，在所述SIW腔体上表面至少设置两个，并耦合连接；馈电面，设置在所述SIW腔体外部，经高阻抗微电线与所述梳状谐振腔连接；所述高阻抗微电线设置在所述SIW腔体上表面开设的缝隙中，作为偏置线；偏置电路，设置在所述高阻抗微电线与所述梳状谐振腔连接处；“缝合”电容，跨接在具有高磁场强度的所述缝隙与所述高阻抗微电线之间，避免由于所述缝隙破坏所述SIW腔体上表面完整性而造成对所述滤波器性能的影响。本发明能提高可重构滤波器的通带选择性。
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