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发明公开
一维孔性（Zn,Cd）S/SiO2管状纳米复合材料及其制备方法无效

公开(公告)号：CN101844741A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010162438.1

申请日：2010-05-05

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 符秀丽 , 李旦 , 肖井华 , 蒋达娅 , 赵晓红

IPC: B82B1/00 , B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种高纯度、高密度、高产率的一维孔性(Zn，Cd)S/SiO2管状纳米复合材料及其制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用热蒸发法在镀有金膜的硅片上生长制备一维孔性(Zn，Cd)S/SiO2管状纳米结构。制备包括以下步骤：(1)将一定Zn∶Cd比的ZnS与CdS混合粉末原料盛于陶瓷舟中，放置于管式炉高温恒温区；(2)混合粉末在一定流量的氮气保护下在管式炉中高温升华、蒸发；(3)混合蒸汽在氮气带动下在气流下方的镀有金膜的硅片上沉积生长，得到所述纳米结构。所述方法合成工艺和设备简单，工艺参数可控性强，成本低廉，所得(Zn，Cd)S/SiO2管状纳米结构产量大、密度高、纯度高。所合成的一维孔性纳米结构在气敏性元器件、储氢材料、非线性光学材料以及太阳能电池等方面有广泛的应用前景。

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