公开(公告)号：CN100587908C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200710091028.0

申请日：2007-04-05

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  黄辉 ,  王文娟 ,  宋海兰 ,  王琦 ,  黄永清

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/30 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001%～20%。本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的晶片进行清洗，然后将晶片置于置于本发明所提供的步骤a中制备的表面处理剂中在0℃～100℃的水浴中放置1分钟～1小时将两块晶片面对面贴紧取出夹紧；将夹好的晶片和夹具一起放入退火炉中进行热处理，处理温度为100～300℃，处理时间为0.5～2小时，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间高质量键合，并且工艺过程环保无毒。

公开(公告)号：CN101281856A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200710091028.0

申请日：2007-04-05

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 任晓敏 ,  黄辉 ,  王文娟 ,  宋海兰 ,  王琦 ,  黄永清

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/30 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001％～20％。本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的晶片进行清洗，然后将晶片置于置于本发明所提供的步骤a中制备的表面处理剂中在0℃～100℃的水浴中放置1分钟～1小时将两块晶片面对面贴紧取出夹紧；将夹好的晶片和夹具一起放入退火炉中进行热处理，处理温度为100～300℃，处理时间为0.5～2小时，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间高质量键合，并且工艺过程环保无毒。