公开(公告)号：CN107389190A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710627660.6

申请日：2017-07-28

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 宁文果 ,  郭方敏

IPC: G01J3/18

CPC classification number: G01J3/18 ,  G01J2003/1842

Abstract: 本发明公开了一种在硅圆片上单片集成的微型光谱仪，其特点是采用硅片刻蚀及沉积金属工艺将色散系统和红外传感器集成在单片硅片上，实现光路与红外探测集成和兼容的光学结构，使入射光在硅圆片平面方向进入，经色散系统分光后到达红外传感器进行红外光的探测，其制作方法包括：刻蚀传感器凹槽后依次沉积氧化硅、氮化硅、钛和铝层并图形化，然后释放形成色散系统和红外探测器结构。本发明与现有技术相比在单片硅片上实现了折叠切尔尼-特纳结构，并在同一硅片上与光学传感器集成，光线沿硅片平面方向入射，避免了光线垂直入射，较好的解决了透射光栅零级条纹不可用等缺点，解决了普通微型光谱仪光学路径受到硅片厚度限制的问题，同时单片集成避免了键合工艺，简化了工艺，具有工艺简单，结构尺寸小的特点，尤其满足了光谱仪小型化、低成本的应用要求。

公开(公告)号：CN207487824U

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201720926679.6

申请日：2017-07-28

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 宁文果 ,  郭方敏

IPC: G01J3/18

Abstract: 本实用新型公开了一种在硅圆片上单片集成微型光谱仪结构，其特点是单硅片上设有色散系统与红外传感器集成和兼容的光学结构，所述光学结构由表面沉积金层的硅柱与表面沉积氧化硅层、氮化硅层、钛层和铝层的传感器凹槽组成；所述金层沉积在硅柱的外表面上；所述传感器凹槽为“V”形槽，其槽壁上设有热隔离层，并在热隔离层上依次沉积氮化硅层和钛层，槽口两侧依次沉积氧化硅层和铝层。本实用新型与现有技术相比具有光线沿硅片平面方向入射，避免了光线垂直入射，工艺简单，结构尺寸小的特点，较好的解决了光学路径受到硅片厚度限制的问题，尤其满足了光谱仪小型化、低成本的应用要求。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利