公开(公告)号：CN116043317B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202211729460.9

申请日：2022-12-30

Applicant: 华东师范大学 ,  上海电机学院

Inventor： 隋峰锐 ,  齐瑞娟 ,  金敏 ,  吕志伟 ,  吴宇宁 ,  越方禹

IPC: C30B11/00 ,  C30B28/02 ,  C30B29/46 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明公开了一种调控二维层状范德华材料结构和缺陷的方法及其应用，所述方法以钇(Y)，镝(Dy)等镧系稀土元素掺杂为手段，对二维范德华层状材料硒化铟(InSe)进行结构和缺陷调控，有效优化该材料的结构，提高该材料的层间作用力，明显抑制其内部本征层错的产生。通过稀土元素掺杂，首次发现了伽马(Gamma/γ)InSe优异的铁电特性；结合该材料没有深能级缺陷，且具有优异的电学性能以及适中可调的直接带隙(带隙与Si相当)，其光谱响应覆盖了从近红外到紫外的范围等特性；使得该材料在二维铁电光伏领域具有极大的应用前景。

公开(公告)号：CN116043317A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211729460.9

申请日：2022-12-30

Applicant: 华东师范大学 ,  上海电机学院

Inventor： 隋峰锐 ,  齐瑞娟 ,  金敏 ,  吕志伟 ,  吴宇宁 ,  越方禹

IPC: C30B11/00 ,  C30B28/02 ,  C30B29/46 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明公开了一种调控二维层状范德华材料结构和缺陷的方法及其应用，所述方法以钇(Y)，镝(Dy)等镧系稀土元素掺杂为手段，对二维范德华层状材料硒化铟(InSe)进行结构和缺陷调控，有效优化该材料的结构，提高该材料的层间作用力，明显抑制其内部本征层错的产生。通过稀土元素掺杂，首次发现了伽马(Gamma/γ)InSe优异的铁电特性；结合该材料没有深能级缺陷，且具有优异的电学性能以及适中可调的直接带隙(带隙与Si相当)，其光谱响应覆盖了从近红外到紫外的范围等特性；使得该材料在二维铁电光伏领域具有极大的应用前景。