公开(公告)号：CN106082178B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201610381337.0

申请日：2016-06-01

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 赵崇军 ,  王圣琪 ,  邵肖肖 ,  马越 ,  赵莉 ,  钱秀珍

IPC: C01B32/184

Abstract: 本发明公开了一种一步法在绝缘基体上制备石墨烯薄膜的方法。通过将绝缘基体在含有弱酸的氧化石墨烯溶液中的水热过程处理，即可在基体表面得到均一的石墨烯薄膜。该制备方法无需贵重仪器设备、过程简单易控、成本低，易于推广。负载有石墨烯薄膜的绝缘基体，可以用作电学或者电化学的器件，有很广泛的潜在应用价值。

公开(公告)号：CN106082178A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610381337.0

申请日：2016-06-01

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 赵崇军 ,  王圣琪 ,  邵肖肖 ,  马越 ,  赵莉 ,  钱秀珍

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种一步法在绝缘基体上制备石墨烯薄膜的方法。通过将绝缘基体在含有弱酸的氧化石墨烯溶液中的水热过程处理，即可在基体表面得到均一的石墨烯薄膜。该制备方法无需贵重仪器设备、过程简单易控、成本低，易于推广。负载有石墨烯薄膜的绝缘基体，可以用作电学或者电化学的器件，有很广泛的潜在应用价值。