公开(公告)号：CN119528095A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411712772.8

申请日：2024-11-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 侯慧杰 ,  乔宇庭 ,  王砚深 ,  王治元 ,  胡敬平 ,  梁莎 ,  袁书珊 ,  虞文波 ,  杨家宽

IPC: C01B21/082 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，公开了一种大规模制备高氮比的g‑C3N4纳米管阵列及其制备方法，制备方法包括以下步骤：(1)利用尿素配制单氮源混合溶液；(2)加入硫酸羟胺得到多氮源混合溶液；(3)再加入三聚氰胺得到多氮源混合三聚氰胺体系的分散液；(4)进行水热反应，并对反应产物清洗、干燥，即可得到多氮源掺杂三聚氰胺的前驱体粉末，它具有纳米柱状阵列结构；(5)煅烧得到高氮比的g‑C3N4纳米管阵列纳米材料。本发明无需借助刚性模板诱导辅助合成即可得到g‑C3N4纳米管阵列材料，能够解决现有技术中操作过程复杂、危险、产物纯度低、耗时及产量低的缺点和不足的问题。