公开(公告)号：CN102520249A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110423142.5

申请日：2011-12-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张建生 ,  杨君友 ,  冯双龙 ,  刘铭 ,  李根 ,  刘正来 ,  彭江英 ,  肖也 ,  付良威

IPC: G01R27/02

Abstract: 本发明公开了一种绝缘衬底上的半导体薄膜厚度方向电导率的测量方法，首先在绝缘衬底上依次沉积第一条形导电金属薄膜、第一绝缘层、待测半导体薄膜、第二绝缘层及第二条形导电金属薄膜层；第一层绝缘层与第二层绝缘层在相同位置留有大小位置完全相同的导电小孔；其次，使上下两层金属薄膜与中间夹层半导体薄膜通过上下两导电小孔接触导通，形成串联的电流通路；然后，对该电流通路通入一定电流，并采集半导体薄膜两表面间对应于两开孔处的电压值；最后，根据所测得的电压值及对其所通电流值，即可求得半导体薄膜厚度方向的电导率。本发明原理简单，设备均为常见简单测试仪表，搭建和测试成本都成本低且简单易行，测试精度较高，数据处理极为简便。